Под модулем понимается: Что понимается под «модулем» в модульном тестировании

Что понимается под «модулем» в модульном тестировании

Первоначально TDD происходил из гибкого движения, где тестирование было написано заранее, чтобы гарантировать, что то, что вы закодировали, остается правильным, учитывая спецификацию, которая теперь была четко определена в тестовом коде. Это также показалось очень важным аспектом рефакторинга: когда вы модифицировали свой код, вы могли полагаться на тесты, чтобы доказать, что вы не изменили поведение кода.

Затем пришли инструменты и подумали, что они знают информацию о вашем коде, а затем могут создать тестовые заглушки, чтобы помочь вам в написании модульных тестов, и я думаю, что именно здесь все пошло не так.

Тестовые заглушки создаются компьютером, который не имеет ни малейшего представления о том, что вы делаете, он просто бездумно создает заглушку для каждого метода, потому что это то, что ему говорят делать. Это означает, что у вас есть тестовый пример для каждого метода, независимо от сложности этого метода или от того, подходит ли он для тестирования в изоляции.

Это происходит при тестировании с неправильного конца методологии TDD. В TDD вы должны выяснить, что должен делать код, а затем создать код, который достигает этого. Это самореализуется тем, что вы заканчиваете тем, что пишете тесты, которые доказывают, что код выполняет то, что делает код, а не то, что он должен делать. В сочетании с автоматическим созданием основанных на методах тестовых заглушек вы в значительной степени тратите свое время на проверку каждого крошечного аспекта кода, который может легко оказаться неверным, когда все маленькие кусочки собраны воедино.

Когда Фаулер описал тестирование в своей книге, он сослался на тестирование каждого класса своим основным методом. Он улучшил это, но концепция все та же — вы тестируете весь класс, чтобы он работал в целом, все ваши тесты объединяются, чтобы доказать взаимодействие всех этих методов, чтобы класс можно было повторно использовать с определенными ожиданиями.

Я думаю, что тестовые наборы инструментов оказали нам плохую услугу, привели нас на путь мышления, что набор инструментов является единственным способом сделать что-то, когда на самом деле вам нужно больше думать о себе, чтобы получить лучший результат из своего кода. Слепое помещение тестового кода в тестовые заглушки для крошечных кусочков просто означает, что вы все равно должны повторить свою работу в интеграционном тесте (и если вы собираетесь это сделать, почему бы не пропустить этап избыточного модульного тестирования, который теперь является излишним). Это также означает, что люди тратят много времени, пытаясь получить 100% тестовое покрытие, и много времени, создавая большие объемы макета кода и данных, которые были бы лучше потрачены на упрощение кода для интеграционного тестирования (т. Е. Если у вас так много зависимости от данных, модульное тестирование может быть не лучшим вариантом)

Наконец, хрупкость модульных тестов на основе методов только показывает проблему. Рефакторинг предназначен для использования с юнит-тестами, если ваши тесты все время ломаются из-за того, что вы выполняете рефакторинг, тогда что-то пошло не так со всем подходом. Рефакторинг любит создавать и удалять методы, поэтому очевидно, что слепой подход, основанный на методах, не соответствует первоначальному.

Я не сомневаюсь, что многие методы получат тесты, написанные для них, все общедоступные методы класса должны быть протестированы, но вы не можете уйти от концепции их совместного тестирования как части одного теста. Например, если у меня есть метод set и get, я могу написать тесты, которые помещают данные и проверяют, установлены ли внутренние члены в порядке, или я могу использовать каждый из них, чтобы поместить некоторые данные, а затем получить их снова, чтобы увидеть, все тот же и не искаженный. Это тестирование класса, а не каждого метода в отдельности. Если установщик полагается на вспомогательный закрытый метод, то это нормально — вам не нужно издеваться над закрытым методом, чтобы убедиться, что установщик работает, а не если вы тестируете весь класс.

Я думаю, что религия проникает в эту тему, поэтому вы видите раскол в так называемой «управляемой поведением» и «управляемой тестами» разработке — оригинальная концепция модульного тестирования была для разработки, основанной на поведении.

Модульное обучение: теория и технология

1. Модульное обучение: теория и технология

Вопросы:
1. Понятия «модуль», «модульное
обучение» и «обучающий модуль»
2. Принципы модульного обучения и
проектирования модульной программы
3. Особенности организации педагогического
контроля в модульном обучении

2. Рекомендуемая литература:

1.Педагогика и психология высшей школы: Учеб.пособие для
слушателей ФПК / М.В. Буланова- Топоркова. – М., 2004.
2. Морозов А.В., Чернилевский Д.В. Креативная педагогика и
психология: Учеб. Пособие. – М.: Академический Проект,
2004.
3. Педагогические технологии: Учеб. Пособие для студентов /
Под общей ред. В.С. Кукушина. –М.: ИКЦ «МарТ»; Ростов н/Д:
«МарТ», 2004.
5.Селевко Г.К. Современные образовательные технологии. –
М.: Народное образование, 1998.
6. Шамова. Т.И., Давыденко Т.М., Шибанова Г.Н. Управление
образовательными процессами. – М.: Академия, 2002. – 384 с.
7. Юцявичене П.А. Теоретические основы модульного
обучения: Дис. д-ра пед. наук. –Вильнюс, 1990.

3. Понятия «модуль», «модульное обучение» «обучающий модуль»

Обозначение термина «модуль»
конструкция, применяемая к различным информационным системам и
структурам и обеспечивающая их гибкость, перестроение.
Модуль (от лат. modulus — «маленькая мера» ) — составная часть,
отделимая или хотя бы мысленно выделяемая из общего.
Модульной обычно называют вещь, состоящую из чётко выраженных частей,
которые нередко можно убирать или добавлять, не разрушая вещь в целом.
Модуль (электроника) — функционально завершённый узел радиоэлектронной
аппаратуры, оформленный конструктивно как самостоятельный продукт. См. также:
унификация.
Термальный модуль — комплект системы охлаждения компьютера.
Автономно управляемая часть космического корабля, например, модули МКС:
Юнити, Коламбус, стыковочно-грузовой модуль и другие
Модуль (программирование) — функционально законченный фрагмент
программы.
Модуль (архитектура) — предварительно заданная велична, размер, кратным
которому принимаются остальные размеры при разработке проекта здания или
при оценке существующего.
Модуль (полиграфия) — предварительно заданная велична, основа модульной
системы вёрстки.
Модуль (судостроение) — произведение длины между перпендикулярами,
ширины и высоты борта.
Модуль (реклама) — размеры графики для печатной рекламы.

5. Модульное обучение (педагогика) — законченный блок учебного материала.

Модули в современном образовании
Наряду с компетентностным подходом и учетом
трудозатрат на обучение в кредитных единицах,
модули являются базовым понятием в рамках
идущего в Европе в последние 10–15 лет
широкомасштабного процесса совершенствования
образовательных программ и достижения взаимной
понятности (прозрачности) систем обучения в
различных вузах и странах.

6. О модулях обычно говорится как о чем-то очевидном.

Нередко на образовательных сайтах вузов
модуль трактуется как учебная дисциплина.
Но чаще под модулем понимается
совокупность разных форм учебной работы и
мероприятий по контролю выработки
соответствующих компетенций, оцениваемая
в итоге определенным количеством
начисляемых студенту кредитов.
Термин «модуль» — интернациональный.
В тезаурусе ЮНЕСКО имеется несколько производных
от него:
модульный метод,
модульная подготовка,
модульное расписание,
модульный подход.

8. Модульное обучение зародилось в конце Второй мировой войны

в сфере образования и профессионального
обучения
категория «модульное обучение»
используется в работах
Б.Ф. Скинера, Д.Ж. Рассели
модульное обучение как технология
появилась 60-х гг. XX в. в учебных
заведения США и западной Европы и
быстро распространялась в англоязычных
странах.

9. Особенности модульного обучения ( по Чернилевскому)

модульное обучение
1. Обеспечивает обязательную проработку каждого компонента
дидактической системы и наглядное его
представление в модульной программе и модулях;
2. Предполагает четкую структуризацию содержания обучения,
последовательное изложение теоретического материала,
обеспечение учебного процесса информационно-предметной
системой оценки и контроля усвоения знаний, позволяющей
корректировать процесс обучения;
3.Предусматривает вариативность обучения, адаптацию учебного
процесса к индивидуальным возможностям и запросам
обучающихся.

10. Что же понимается под словом «модуль» в теории модульного обучения?

Модуль (латинское слово – modulus =
мера ) –
это минимальная дидактическая
единица учебной информации,
выполняющая полифункциональную роль
и обеспечивающая целостное усвоение
содержания образования.

11. Обучающий модуль — это логически завершенная форма части содержания учебной дисциплины, включающая в себя познавательный и

профессиональные аспекты, усвоение которых должно
быть завершено соответствующей формой контроля знаний, умений и
навыков, компетенций сформированных в результате овладения
обучаемыми данным модулем.
компетенции
контроль

12. Содержание модуля

познавательная
(информационная) часть
направлена на
формирование
теоретических знаний,
учебно-профессиональной
(деятельностной)/ часть
направлена на
формирование
профессиональных умений
и навыков, компетенций на
основе приобретенных
знаний.
Функциональн
ый
Модульное
обучение
узел
Технология
Учебное
овладения
содержанием
содержание
Познавательная
Профессиональная
деятельность
деятельность
Информацион
ный модуль
Деятельност
ный модуль
Учебные
дисциплины
практикумы
Разделы
дисциплин
Лабораторные
работы
Спецкурсы
Практики
факультативы
Курсовые и
дипломные
работы

14. структурная схема обучающего модуля

15. суть технологии модульного обучения

для
достижения
требуемого
уровня
компетентности обучаемых на основе
соответствующих принципов и факторов
осуществляется
укрупненное структурирование содержания
учебного материала,
выбор адекватных ему методов, средств и
форм обучения,
направленных на самостоятельный выбор и
прохождение
студентами
полного,
сокращенного или углубленного вариантов
обучения
Технология модульного обучения
включает и рейтинговую систему контроля и оценки учебных
достижений.
Суть этой системы состоит в передаче «нитей» контроля из рук
преподавателя в руки обучаемого, что расширяет
самостоятельность студента в процессе обучения.

17. Принципы модульного обучения

модульности
Структурирования содержания
обучения
гибкости

18. Принципы модульного обучения

оперативности
паритетности
Реализации обратной связи

19. Принципы проектирования модульной программы

Модульная программа —
это дидактическая парадигма, состоящая из
модулей, каждый из которых имеет вполне
определенные деятельностные дидактические
цели.
Достижение целей обеспечивается конкретной
дозой содержания учебного материала.
Усвоение дидактического материала
диагностируется контрольными заданиями

20. Содержание учебного предмета оформляется в виде программы, проектирование которой ведется на основе общепринятых принципов

Компоновка
содержания
учебного
предмета
вокруг базовых
понятий и
методов
Целостность и
практическая
значимость
содержания
Систематичность и
логическая
последовательнос
ть изложения
учебного
материала
Наглядность
представления
учебного
материала
кдц
идц
чдц
Структура модульной программы

22. Взаимосвязь целей в технологии модульного обучения

23. особенности структурирования содержания учебного курса в модульном обучении

модуль представляет собой интеграцию различных видов и
форм обучения, подчиненных общей теме учебного курса или
актуальной научно-технической проблеме.
Границы модуля определяются установленной при его
разработке совокупностью теоретических знаний и навыков,
практических действий, необходимых будущим специалистам
для постановки и решения научно-технических задач данного
класса.
Обычно семестровый курс (40—50 лекционных часов) делят на
-12 модулей аналогично принятому разделению курса на ряд
|тем, по которым проводят коллоквиумы.

24. Модуль — самостоятельная структурная единица и в некоторых случаях студент может слушать не весь курс, а только ряд модулей.

Каждый модуль обеспечивается
необходимыми
— дидактическими и методическими
материалами,
— перечнем основных понятий,
— умений, навыков и компетенций, которые
необходимо усвоить в ходе обучения.

25. Особенности организации педагогического контроля в модульном обучении

рейтинг — это сумма баллов, набранная студентом в течение
некоторого промежутка времени, рассчитанная по
определенным формулам, не изменявшимся в течение этого
промежутка.
Методики определения рейтинга разнообразны,
различна и степень сложности этих методик.
В ряде систем показатель рейтинга совпадает с оценкой знаний
студента при проведении контрольных мероприятий.
В этом случае базовая цена модуля известна (рассчитана)
заранее.
В других же показатель определяется по довольно сложным
формулам с учетом стартового оценочного показателя знаний
студента, ожидаемой оценки качества выполнения испытания и
других величин.

26. рейтинг студента R вычисляется по формуле

R=Rстар.+Kх (S-Sож)
Rстар –стартовый рейтинг
K – коэффициент значимости (весомости)
контрольного испытания
S – реальная оценка качества выполнения
испытания
Sож –ожидаемая оценка качества выполнения
испытания

28. По целям контроля рейтинг подразделяется на

• стартовый
1
• Оценка знаний в начале цикла
• Технический
2
• Складывается из оценок текущих работ
• теоретический
3
4
• Набирается на коллоквиумах, оценивает
теоретические знания
• творческий

29. Структурные элементы модуля

Дидактическ
ие
цели
Учебный
материал и
методическое
обеспечение
процесса его
усвоения
Информация о
способах контроля
и самоконтроля
при освоении
учебного
материала
Модуль может иметь следующую форму:
№М
№ УЭ
Учебны
й
матери
ал с
указани
ем
заданий
Руководство
по усвоению
учебного
содержания

Интегрированная САПР и модульное проектирование

Ю.А.Боткин, П.С.Голдовский

В последнее время при рассмотрении проблем создания САПР много внимания уделяется вопросам параметризации и базам знаний и практически не обсуждаются вопросы модульного проектирования, являющегося, в сочетании с последними, мощным средством создания прогрессивных интегрированных конструкторско-технологических САПР.

Принцип модульного проектирования реализован в фирмe «ГЕТНЕТ Консалтинг» при создании интегрированной САПР технической подготовки производства. В этой системе функции конструкторского проектирования выполняются в CATIA V5, а технологического — в системе NATA, являющейся собственной разработкой фирмы «ГЕТНЕТ Консалтинг». Блок-схема системы приведена на рис. 1.

Рис. 1. Блок-схема интегрированной САПР

Главными отличительными особенностями системы, помимо упомянутого принципа модульного проектирования, являются высокая степень автоматизации, достигающая 100% при технологическом проектировании, и наличие базы знаний, состоящей из двух разделов: информационного, содержащего описания конструктивно-технологических модулей, и процедурного, включающего описания процедур конструкторского и технологического проектирования. Кроме того, в систему входит специальный язык технологического проектирования NATA Script, который будет описан в следующей публикации.

CATIA, как и другие современные конструкторские системы, обладает возможностью модульного проектирования, позволяющей формировать изделие из заранее созданных конструктивных модулей, хранящихся в базе знаний. Эти функции выполняются инструментарием Power Copy, User Feature, Document Template. Под конструктивным модулем (КМ) в интегрированной САПР понимается унифицированный параметрический фрагмент изделия, способный позиционироваться относительно других конструктивных модулей и помещенный в базу знаний системы.

Рис. 2. Процедура присоединения КМ

Рис. 3. 3D-модель кронштейна с присоединенным КМ

На рис. 2 и 3 приведен пример, иллюстрирующий использование конструктивных модулей при проектировании корпусной детали (кронштейна). На рис. 2 показана процедура присоединения КМ кармана к текущей 3D-модели кронштейна. Позиционирование КМ кармана осуществляется посредством указания элементов привязки — плоскости 3D-модели, от которой координируется дно кармана, и ребер 3D-модели, от которых координируются боковые грани кармана. На рис. 3 приведена 3D-модель после присоединения КМ кармана.

Модульное проектирование на этапе технологической подготовки производства предполагает наличие технологических модулей, ассоциированных с соответствующими КМ. В этом случае технологический процесс может синтезироваться из технологических модулей аналогично тому, как изделие синтезируется из КМ. Под технологическим модулем (ТМ) в интегрированной САПР понимается унифицированный параметрический фрагмент техпроцесса, ассоциированный с некоторым множеством КМ, способный позиционироваться относительно других ТМ и помещенный в базу знаний системы . Позиционирование ТМ относительно друг друга осуществляется посредством резервирования в этих модулях необходимых технологических операций и переходов.

Рис. 4. Схема синтеза изделия и техпроцесса

Наличие ассоциированных КМ и ТМ приводит к воскрешению изрядно забытого термина «конструктивно-технологический модуль» (КТМ). Именно термина, а не понятия, так как под КТМ в интегрированной САПР понимается не один модуль, а некоторая совокупность КМ и ТМ. Прежде чем сформулировать понятие КТМ, принятое в нашей системе, следует отметить, что в общем случае одному КМ соответствует некоторое множество ТМ, описывающее возможные варианты типовых технологических решений (типовых техпроцессов), применяемых для изготовления КМ. И наоборот — один ТМ может использоваться для изготовления нескольких различных КМ: групповые техпроцессы, операции, переходы и т.д. Но, поскольку изделие первично по отношению к техпроцессу, целесообразно считать КМ первичным по отношению к ТМ. Таким образом, конструктивно-технологический модуль — это конструктивный модуль с ассоциированными с ним технологическими модулями. Из принятого определения следует, что КМ может входить только в один КТМ, а ТМ — в различные КТМ.

В процессе проектирования, при синтезе изделия из КМ или техпроцесса из ТМ, удобно иметь некий исходный модуль, с которого начинается проектирование. Иными словами — базовый модуль, который в процессе проектирования дополняется другими (дополнительными) модулями. Таким образом, КМ, ТМ и КТМ удобно подразделить на две группы — базовые и дополнительные. На рис. 4 приведена реализованная в интегрированной САПР схема синтеза изделия и соответствующего ему техпроцесса из КМ и ТМ с использованием КТМ.

В интегрированной САПР конструкторское проектирование осуществляется в диалоговом режиме. Конструктор ищет в базе знаний необходимые КМ и формирует из них 3D-модель изделия. Технологическое проектирование осуществляется в автоматическом режиме. На первом этапе для каждого КМ, вошедшего в 3D-модель, из множества ассоциированных с ним ТМ выбирается по одному конкретному ТМ, удовлетворяющему конкретным параметрам изделия и условиям его изготовления (размеры, материал, партия запуска и т.д.). На втором этапе из этих ТМ синтезируется техпроцесс. Синтезированный техпроцесс может быть полностью законченным или может представлять собой в различной степени незавершенную структуру техпроцесса, дорабатываемую на следующих этапах технологического проектирования.

Модульное проектирование на этапах конструкторской и технологической подготовки производства позволяет:

• значительно повысить производительность труда проектирования за счет многократного использования существующих наработок, содержащихся в базе знаний в виде конструктивных и технологических модулей. При этом следует отметить, что вероятность повторного применения типового модуля значительно выше вероятности повторного применения типового изделия (детали, сборочные единицы) или типового техпроцесса его изготовления;

• решить задачи конструкторской и технологической унификации, отработки изделия на технологичность, так как применяемые модули заведомо унифицированы и технологичны;

• значительно сократить номенклатуру объектов, описываемых в базе знаний, поскольку номенклатура модулей существенно меньше номенклатуры создаваемых из них изделий. Отсюда — возможность более тщательной проработки помещаемых в базу знаний проектных решений, а следовательно, повышение качества проектирования;

• интегрировать конструкторское и технологическое проектирование на основе интеграции конструктивных и технологических модулей и на базе этого значительно повысить степень автоматизации создаваемых САПР;

• на основе классификаторов конструктивных и технологических модулей систематизировать базу знаний, создать эффективные информационно-поисковые системы конструкторского и технологического назначения.

В заключение следует отметить, что формирование конструктивных, технологических и конструктивно-технологических модулей, безусловно, требует немалых затрат на предварительном этапе создания системы. Поэтому зачастую в целях ускорения и упрощения многие этого не делают и предпочитают, по выражению Петра Великого, «прожекты абы как ляпать». Однако в дальнейшем эта простота оборачивается значительно большими затратами, связанными с невозможностью использования или с неэффективным использованием имеющихся наработок.

Это еще раз заставляет обратить внимание на то, что внедрение сложных информационных систем требует тщательности в подготовке к работе на этапе внедрения, что наряду с высокой производительностью информационной системы способно обеспечить значительный рост производительности с гарантированным качеством в конструкторско-технологической подготовке производства новых изделий.

«САПР и графика» 6’2005

Формат четырех образовательных модулей — будущее ГУ-ВШЭ

Одним из первых вопросов, обсуждавшихся на совещании Академического совета совместной образовательной программы УрГУ и ГУ-ВШЭ, состоявшемся 19 июня в Екатеринбурге, стал учебный план совместной образовательной программы на 2008/2009 учебный год. Преподаватели уральского госуниверситета представили свой проект учебного плана, а участники совещания со стороны Высшей школы экономики выступили с его экспертной оценкой и высказали свои замечания.

Следует отметить, что для будущих студентов программы «двух дипломов» предусмотрена весьма значительная учебная нагрузка. Учебный план на год делится на четыре модуля, после каждого из которых предусмотрена отчетность в форме контрольных работ, коллоквиумов и эссе. При этом в предложениях УрГУ предусматривалась высокая концентрация дисциплин в рамках каждого модуля, что вызвало возражения преподавателей Высшей школы экономики. Например, с их точки зрения, в третьем учебном модуле оказалось слишком много философии и математического анализа (по 72 часа), а вот экономических дисциплин не было предусмотрено вовсе. В то же время в четвертом модуле были запланированы 72 часа микроэкономики и столько же линейной алгебры, что, по мнению сотрудников ГУ-ВШЭ, слишком много.

— Надо обеспечить присутствие экономических дисциплин в каждом модуле. И нельзя давать такие предметы как философия и матан в рамках одного модуля. Это же по 8 часов в неделю — студенты не выдержат! — сказала коллегам из УрГУ доцент кафедры экономической теории ГУ-ВШЭ Тамара Протасевич.

Некоторые терминологические сложности возникали и в связи с самим понятием «модуль». Складывалось впечатление, что для преподавателей уральского госуниверситета все же привычнее мыслить категориями семестров, а модульная система, принятая в ГУ-ВШЭ, пока является для них образовательной новацией. Более того, перенасыщенность некоторых модулей сложными для освоения предметами, возможно, была продиктована желанием сотрудников УрГУ максимально соответствовать высоким образовательным стандартам, заданным Вышкой, и излишне теоретическим подходом к модульной системе.

Своим видением того, как должен строиться учебный план в рамках программы «двух дипломов» с нами поделился проректор по учебной работе УрГУ Сергей Рогожин.

— Модуль — это в нашем понимании погружение в предмет. Ряд предметов не требует особого погружения — физкультура, иностранный язык — они просто должны идти постоянно в течение всего учебного года. Но по некоторым специальным предметам нужна глубина освоения, а для этого к концу курса надо помнить, что было раньше. Чтобы не забывалось изученное, нужно осваивать предмет как можно быстрее. И модульное формирование для таких предметов оказывается наиболее целесообразным. Модули могут быть разные, но пока у нас принято решение, что модуль — это половина семестра.

При этом студенты переводятся с курса на курс по итогам работы в учебном году. То есть, когда речь идет об организационных вопросах, удобнее говорить в терминах года и семестров, а содержательные вопросы — это модули.

Замечание коллег из ГУ-ВШЭ, что в каждом модуле должна быть хотя бы одна специальная дисциплина экономического профиля, вполне справедливо. Я также согласен и с тем, что естественнонаучные дисциплины (речь на совещании Академического совета шла о математическом анализе и алгебре) имеет смысл растянуть по модулям. Тут необходима непрерывная математическая подготовка.

Для экономистов это профильные предметы, без них невозможно знать экономику. Но погружаться в них тяжело, слишком велико количество часов, и если концентрировать эти дисциплины в модулях, получается перебор, математическая нагрузка оказывается больше, чем собственно экономическая.

В результате мы скорректировали учебный план таким образом, чтобы на протяжении всех модулей в течение первых двух лет обучения параллельно изучались несколько математических дисциплин.

— Ощущаете ли Вы разницу в подходе к тому, какие требования должны предъявляться к студентам, какие дисциплины и когда давать, у Высшей школы экономики и в УрГУ? Не происходит ли столкновения позиций?

— Столкновения нет, все решается консенсусом. Но понятно, что есть свои традиции, свои особенности у нашего экономического факультета и у факультета экономики ГУ-ВШЭ. Точки зрения могут различаться, но не по принципиальным вопросам. Есть базовые экономические дисциплины, есть специальные, которые основываются на понятиях базовых дисциплин. Есть общая стандартная логика, а расхождение происходит в частностях непринципиального характера. Приводятся соответствующие аргументы, и стороны удовлетворяются ими.

Конечно, раз будет чередоваться обучение в УрГУ и в ГУ-ВШЭ (студенты поедут в Москву на четвертый год обучения), необходимо вычленить, что имеет смысл изучать на базе уральского университета, а что лучше изучить в Высшей школе экономики. Это который еще предстоит обсуждать.

— Предполагается обмен между вузами только студентами, или и преподавателями тоже?

— Конечно, преподаватели ВШЭ будут приезжать и сюда. Но с экономической точки зрения было бы целесообразно сделать это разовыми приездами на короткий срок, гостевые лекции небольшого объема, до десятка часов, умещающиеся в два дня.

Более того, это важно и полезно не только для программы «двух дипломов». Для УрГУ это уже стало стандартной схемой. Приглашаются лекторы из других престижных вузов с громкими именами. Это существенно повышает привлекательность образования в УрГУ. Студентам это интересно и они ждут таких визитов. Для программы «двух дипломов» это тем более естественно.

Однако, как рассказала в интервью Экспертному журналу OPEC.Ru, доцент кафедры экономической теории, заместитель декана экономического факультета ГУ-ВШЭ Тамара Протасевич не следует абсолютизировать модульную систему. Опыт Высшей школы экономики показывает, что в этом вопросе все далеко не так однозначно.

— Тамара Анатольевна, как Вы оцениваете подход коллег из УрГУ к формированию учебных планов и их видение образовательного процесса в целом? Не пытаются ли они объять необъятное?

— Прежде всего, мне хотелось бы отметить большую заинтересованность коллег из уральского госуниверситета в реализации совместной образовательной программы. Я бы даже сказала, что именно их настойчивость и заинтересованность привела к тому, что сегодня программа запущена и начался набор студентов. По-видимому, именно эта заинтересованность позволяет им идти нам навстречу, когда возникают некоторые расхождения, в том числе, и в вопросах организации учебного процесса. Но, отмечу, подобные расхождения неминуемо возникают в таком новом деле, как наше. Это же первая такая программа в стране!

Конечно, система модуля для УрГУ — инновация, которую им только предстоит опробовать. До сих пор они жили в семестровой логике. Но схема, которая предлагается в рамках совместной образовательной программы (четыре модуля в год) — это тот формат, к которому начинает приходить и Вышка. Для ГУ-ВШЭ это тоже новое, до сих пор у нас было пять модулей.

Модульная система уже не раз обсуждалась у нас на совещании деканов, и, по мнению многих из них, пятый модуль, который есть в Вышке, скорее мешает. Дважды уже ставился вопрос о том, что нужно от модульной системы взять все полезное. А полезного в ней много, — это привычка каждый день работать, начиная с первого дня, привычка к постоянному контролю, к мониторингу знаний. Но формат четырех модулей, который сейчас предлагается в рамках образовательной программы, — это будущее ВШЭ. И наш факультет экономики, и заведующие кафедрами нашего факультета уже не раз предлагали переходить к четырех модульной системе.

В то же время мы надеемся, что позитивный опыт работы по модульной системе с учетом всего того, что накоплено Вышкой, пригодится нашим уральским коллегам. А то, что в обсуждениях они сбиваются на семестровый формат — это как раз возможность соединить то хорошее, что есть в модульной системе и то, что нас в ней не устраивает.

— Чем плоха система пяти модулей?

— Изначально у нас был семестровый принцип, потом был осуществлен переход на модульную систему. Мы решили, что у нас таких двухмесячных отрезков будет пять. Мы надеялись выиграть в учебном времени. Экзамены мы устраивали в длинные сессии — летнюю и зимнюю. Потом посчитали, что это неэффективно, и пришли к формату, когда выделяется неделя между модулями на текущий контроль знаний, на промежуточный и итоговый. Но выделение этих недель снизило выигрыш рабочего времени, он стал несущественным.

Вообще, модули — это краткие законченные отрезки учебного времени, у нас — двухмесячные, которые заканчиваются неделей, в период которой препарируются знания студентов. Идея в том, что это знания, находящиеся в активной памяти, поэтому — без подготовки студент должен отчитаться за только что пройденный материал. Но большие курсы в ВШЭ в модуль и даже в два не укладываются, они идут 2—3—4 модуля. В этом случае отчетность получается очень рваной, а к концу курса студент все равно уже не помнит, что было в начале. Поэтому сейчас, я полагаю, имело бы смысл сократить число модулей до четырех.

Свою оценку работы Академического совета совместной образовательной программы дал и проректор Высшей школы экономики Сергей Рощин:

— Сергей Юрьевич, возникают ли какие-либо методологические, идеологические разногласия, сложности, трения при осуществлении программы?

— Это вопрос понимания того, как устроен академический и образовательный процесс. Во многом есть сходство, есть и различия, и мы стараемся адаптировать совместную образовательную программу под те стандарты (не только академические, но и административно-организационные), которые уже наработаны в ГУ-ВШЭ. Это не разногласия, это уточнение того, что и как надо делать, уточнение форм организации учебного процесса, организации администрирования учебного процесса. Это обмен опытом и формирование общей рамки совместной деятельности.

— Коллектив УрГУ более традиционен?

— По-разному. Надо отметить, что за последнее время трое преподавателей УрГУ перешло работать во ВШЭ, являются в данный момент профессорами и доцентами факультета экономики Вышки, и для нас это приятно. Есть коллеги, которых трудно назвать более традиционными по сравнению с тем, что мы делаем в ВШЭ, есть коллеги, больше ориентированные на те формы и отчасти, содержание, преподавательской деятельности, которые были раньше, еще в советские годы. Но различные программы повышения квалификации, которые реализует УрГУ в сотрудничестве со ВШЭ, как раз и направлены на выравнивание этого уровня.

Дмитрий Европин, фото автора

Модульная структура — программа — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Модульная структура — программа

Cтраница 1

Модульная структура программ облегчает организацию работы больших коллективов программистов и эксплуатацию программ.
 [1]

Модульная структура программ позволяет отлаживать не всю программу сразу, а каждый модуль в отдельности.
 [2]

Модульная структура программы позволяет также поручать составление сложной программы нескольким лицам.
 [3]

При модульной структуре программы в процедуре имеется доступ только к аргументу. Поэтому практически невозможно изменить значение внешней ( глобальной) переменной с помощью присваивания некоторого значения формальному параметру.
 [4]

Язык ПЛ / М допускает использование модульной структуры программы, позволяющей автономно писать и транслировать отдельные модули и объединять их в одну программу на этапе редактирования. Это позволяет осуществлять по возможности большую изоляцию модулей друг от друга, но вместе с тем делает необходимой реализацию связи между ними. С этой точки зрения необходимо избегать использования глобальных переменных, что обеспечит большую изолированность модулей. Одним из способов, реализующих связь между отдельными модулями, является использование внешних программ вместо внутренних.
 [5]

Основная цель методологии состоит в разработке такой модульной структуры программы, которая отображала бы структуру реализуемой проблемы. В основе методологии лежит предложенное Джэксоном понятие инвариантных контуров обратных связей программы.
 [6]

Программная реализация модели может быть представлена в виде модульной структуры программы, структурной модели программы ( с детальной структурой каждого модуля) и, наконец, в виде текста программы на каком-либо языке программирования.
 [7]

Подробно рассмотрен принцип программирования, в основу которого положена модульная структура программ. Приведен ряд рекомендаций по использование системы с ВН.
 [8]

Основой для создания типовых программных решений модуля оперативного управления является модульная структура программ. Под модулем понимаются отдельные, способные самостоятельно функционировать части программы, которые выполняют законченную функцию и могут быть объединены в рабочую программу.
 [9]

Ниже рассматривается пример реализации некоторых функций управляющей программы для простейшей микропроцессорной системы, причем модульная структура программы позволяет легко изменять состав функций, а также адаптировать сами функции к различным внешним устройствам. Эти мониторы решают задачи управления терминалами, распределения оперативной памяти, сопряжения с внешними устройствами, поддержания возможности работы с файлами на гибком магнитном диске и, наконец, задачи отладки, к которым можно отнести рассматриваемый ниже пример.
 [10]

Программа может быть использована для решения широкого круга гидрогеологических задач, связанных с проблемами водоснабжения, осушения месторождений полезных ископаемых, истощения и искусственного восполнения эксплуатационных запасов подземных вод. К программе прилагается подробное и весьма качественное описание теоретических основ моделирования трехмерной фильтрации подземных вод в конечно-разностной постановке, физического и математического подходов к созданию модульных структур программы. Даны практические рекомендации по работе с программой, проиллюстрированные типовым тестом.
 [11]

Принципиальным отличием языка PDL от естественного языка является наличие внешнего синтаксиса, связанного со структурами управления, данных и систем, который включает небольшое число ключевых слов и позволяет оформлять текст программы в виде таблиц, удобных для печати. Внешний синтаксис определяет порядок следования и выполнения операций, организацию данных и доступа к ним и модульную структуру программы. Внутренний синтаксис имеет отношение к типам данных и операциям и выражается либо на естественном языке, либо на специализированных языках ( например, на языке математики), соответствующих рассматриваемой проблеме.
 [12]

Надежность ПО существенно зависит от установившейся тенденции достижения максимального быстродействия аппаратуры и минимальной стоимости. В силу противоречий между эффективностью и надежностью показатели надежности часто отбрасываются ради достижения эффективности. Например, зачастую пренебрегают защитными мероприятиями по той причине, что они снижают скорость выполнения программы; избегают применения модульной структуры программ из-за некоторого увеличения времени выполнения за счет передач параметров; ограничиваются контрольные функции компиляторов из-за дополнительного расхода времени на создание программ и делаются попытки использовать различные ухищрения программирования с целью сокращения времени работы программ.
 [13]

Описаны функции типового модуля, его назначение, параметры и область применения. Предложена структура входной и выходной информации, приведены формы входных и выходных табуляграмм, а также описаны алгоритмы решаемых задач и модульная структура программ.
 [14]

В основе программного обеспечения лежит модульный принцип. Преимущества модульного программирования заключаются в том, что составление программы сводится к синтезу ее из модулей, причем последние можно считать элементами проблемно-ориентированного языка. Отладка программ упрощается тем, что в момент объединения модулей каждый из них уже отлажен. Благодаря модульной структуре программу можно легко изменить путем создания новых модулей, или преобразованием некоторых из уже имеющихся, или перестановкой модулей, определяющих процесс обработки данных. Модульная структура программ облегчает организацию работы больших коллективов программистов и эксплуатацию программ.
 [15]

Страницы:  

   1

   2

Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти

A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z  

Введение

Данный глоссарий представляет собой набор терминов и сокращений, имеющих отношение к компьютерной памяти (с упором на DRAM как оперативную память). Все термины даны так, как они пришли к нам — а именно по-английски. Такая форма представляется правильной, ибо большинство русских терминов являются кальками с английского или вообще не имеют перевода. Кроме того, компетентные статьи на русском языке чаще всего используют английскую терминологию. Не исключено, что в будущем к глоссарию добавится небольшая «таблица соответствия» русских и английских терминов.

Глоссарий не претендует на абсолютную техническую достоверность и полноту. Предполагается, что информация дана в объеме, требуемом пользователю, нуждающемуся в понимании технического текста по данной проблеме или в общем повышении уровня знаний. Приведены также основные сведения о производстве и продаже модулей памяти. Более подробная информация может содержаться в других документах принадлежащего автору сайта, а также на сайтах производителей.

Названия статей выделены жирным, после аббревиатуры в скобках дается ее дешифровка. Далее (если есть) в кавычках курсивом дается «русская версия» (в варианте, либо наиболее распространенном, либо привычном автору). Если термин может иметь несколько различных значений, после части статьи, общей для всех значений, идет нумерованный список. Знаком равенства обозначается синонимичный (для данного значения) термин, английский или русский. Знаком *** выделены небольшие дополнительные статьи по терминам, окруженным наибольшим количеством легенд. В тексте статей даны гиперссылки на статьи по родственным терминам, которые могут быть необходимы для понимания. Ссылки даются в основном на русские термины, в то время как названия статей английские — это может причинить определенные неудобства, но лучшей идеи пока нет. Навигация может также осуществляться с помощью алфавитного указателя в начале документа.

Настоящий документ основан на опыте работы автора в данной области и представляет собой его личное мнение. Автор не несет ответственности за последствия, вызванные применением информации, содержащейся в данном документе. При обнаружении в тексте ошибок и неточностей просьба связаться с автором по адресу [email protected].

A

access cycle — цикл обращения — последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные с указанием адреса информации.

access time — время доступа (иногда ошибочно именуется скоростью) — время, необходимое на полный цикл обращения к информации, хранящейся по случайному адресу в чипе или модуле. Нужно иметь в виду, что в реальных условиях обращение чаще всего происходит не по случайному адресу, что позволяет использовать сокращенный цикл.

address depth — глубина адресного пространства — количество бит, которые могут быть сохранены на каждой линии ввода/вывода чипа или модуля.

address line — адресная линия — одна из линий, используемых для указания адреса запрашиваемой или сохраняемой информации. Поскольку информация организована в виде матрицы, адресные линии за полный цикл доступа используются дважды — для указания номера строки (RAS) и столбца (CAS). Поэтому число необходимых адресных линий равно 1/2log₂A, где A — размер адресного пространства (например, 10 для 1 мегабит), при условии, что матрица квадратная, что не всегда верно.

AGP (Accelerated Graphic Port)- технология, позволяющая графическому процессору получить доступ к оперативной памяти, минуя основной процессор. В отличие от unified memory у видеоподсистем с AGP в качестве буфера кадров по-прежнему используется высокоскоростная видеопамять.

architecture — архитектура — совокупность характеристик модуля памяти (включая тип памяти, емкость, время доступа, электрическую и логическую схему, разводку контактов и форм-фактор), полностью этот модуль определяющих. Теоретически два модуля одинаковой архитектуры должны быть полностью взаимозаменяемыми. Иногда под архитектурой понимают организацию модуля, что не совсем корректно (скажем, организация далеко не всегда однозначно определяет тип модуля).

asynchronous — асинхронный. Термин применяется к устройствам памяти, цикл обращения к которым состоит из стадий, имеющих разную длительность, что не позволяет оптимизировать совместную работу подсистемы памяти и процессора. В настоящее время происходит вытеснение асинхронных устройств синхронными.

audio RAM — термин, иногда применяемый в индустрии для партий микросхем, имеющих серьезные производственные дефекты (например, не работает одна из линий ввода-вывода). Нередко такие микросхемы реализуются по низким ценам для применения в устройствах бытовой электроники, в частности, в качестве буферов в проигрывателях компакт-дисков (отсюда название). К сожалению, имеются прецеденты изготовления модулей памяти на основе таких микросхем. Косвенные признаки таких модулей — отсутствие маркировки либо явная перемаркировка чипов, а также их необычное число.

B

bandwidth — пропускная способность, т.е. объем информации, который может пройти через систему в единицу времени. Применительно к подсистеме памяти — произведение пропускной способности линии ввода-вывода на ширину шины. Поскольку изменение последней в рамках принятой архитектуры «поколения» компьютеров невозможно, большинство новых технологий памяти имеют целью увеличение первой, которая фактически обратна времени доступа (с учетом сокращенного цикла).

bank — банк

1. = slot
2. Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей равняется отношению ширины системной шины к ширине шины модуля (умноженному на коэффициент interleave). Некоторые компьютеры способны работать с неполным банком памяти, но ценой значительного падения быстродействия.
3. Логическая единица внутри модуля памяти, см. dual-bank. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличения чила адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 8 и 32 MB SIMM, которые в отличие от 4 и 16 MB называются «двухбанковыми»
4. Часть чипа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Эта возможность используется для interleave на уровне чипа.

BEDO (Burst EDO) — более быстрая (в тактах, а не наносекундах) разновидность EDO RAM. О поддержке этого стандарта производители чипсетов заявляли уже давно, однако BEDO RAM так и не появилась на рынке, и, судя по всему, уже никогда не появится, проиграв более быстрой SDRAM.

bit — бит. Мельчайшая единица хранения и передачи информации, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния — 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.

brand-name

1. для чипов и/или модулей = major или major/major
2. для модулей — подразумевает то, что модуль сделан известным (соблюдающим стандарты и высокое качество) производителем и имеет его маркировку. Единого мнения о том, каких производителей считать известными, не существует.
3. для систем — тот факт, что система произведена крупным производителем компьютерной техники, который специально продает модули расширения памяти со своей маркировкой и рекомендует использовать именно их. Можно применить термин и к самим модулям, однако как правило они представляют собой совершенно стандартные (или, изредка, произведенные по субконтракту) устройства с дополнительной маркировкой (чаще всего при этом являясь brand-name в определениях 1 или 2).

buffered — буферизованный (модуль). Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти большой собственно емкости время их «зарядки» становится недопустимо большим, что приводит к потере тактов. Чтобы избежать этого, некоторые модули (как правило, 168-контактные DIMM) снабжаются специальной микросхемой (буфером), которая сохраняет поступившие данные относительно быстро, что освобождает контроллер. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с небуферизованными, поэтому эти два типа DIMM имеют разное положение одного из ключей.

burst mode — пакетный режим, в отличие от обычного режима, при котором запрос по адресу возвращает только данные по этому адресу, в этом режиме такой запрос возвращает пакет данных по этому и последующим адресам.

bus — шина. Совокупность линий ввода-вывода, по которым информация передается одновременно. Ширина и частота шины естественным образом влияет на пропускную способность. Под главной, или системной шиной понимается шина между процессором и подсистемой памяти.

bus frequency — частота шины. Как правило, термин применяется к главной шине компьютера, т.е. той, на частоте которой работает память. Для современных процессоров и чипсетов Intel пока официально не превышает 66MHz, однако ожидается увеличение. Иногда называется внешней частотой.

bus width — ширина шины — количество линий ввода-вывода, т.е. число бит, которое может быть передано одновременно (для устройств с контролем четности из этого количества иногда исключают линии, «отвечающие» за четность, как не передающие информации). Для системной шины определяется в первую очередь типом процессора. Увеличение ширины системной шины — простой способ увеличить общую производительность системы, однако это требует коренной перестройки программного обеспечения и периферии. Все процессоры, начиная с Pentium, имеют ширину шины 64 бит. Размер одного банка памяти кратен (как правило, равняется) ширине системной шины.

byte — байт — единица информации, состоящая из 8 бит, широко используется для практического измерения объемов данных (например, размера файла, а также, что важно для нас, объема оперативной памяти). Обозначается заглавной буквой B.

C

cache — кэш

1. Буфер обмена между медленным устройством хранения данных и более быстрым. Принцип его действия основан на том, что простой более быстрого устройства сильно влияет на суммарную производительность, а также — что с наибольшей вероятностью запрашиваются данные, сохраненные сравнительно недавно. Поэтому между устройствами помещают небольшой (по сравнению со всеми хранимыми данными) буфер быстрой памяти, что позволяет снизить потери быстрого устройства как на записи, так и на чтении.
2. = L2 cache

capacity — емкость

1. Электрическая емкость устройства DRAM (влияет на быстродействие и энергопотребление).
2. Емкость модуля памяти в MB (в отличие от плотности чипа).

CAS (Column Access Strobe) — регистр обращения к столбцу. Сигнал, поданный на линию CAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес столбца.

checksum — контрольная сумма, применяется при контроле четности. Бит, представляющий собой сумму значений всех бит, входящих в контрольную сумму (как правило это 8 бит) с отбрасыванием старших разрядов.

chip — чип, микросхема.

chipset — чипсет, набор микросхем материнской платы, реализующих архитектуру компьютера. Как правило, контроллер памяти входит в состав чипсета, поэтому зная, какой именно чипсет применен в компьютере, можно сделать выводы о применяемой памяти.

clock

1. = timer — таймер, системные часы.
2. = clock cycle — такт, длительность одной операции синхронного (управляемого таймером) устройства.
3. = clock frequency — тактовая частота, величина, обратная длительности такта, измеряется в мегагерцах.
4. см. SDRAM clock

clock multiplying — умножение частоты — принцип, применяемый в компьютерах начиная с 486-го поколения для согласования растущей тактовой частоты процессора и остальной системы. В результате системная шина (а вместе с ней и подсистема памяти) работают на частоте, в фиксированное число раз меньшее, чем частота процессора. В то время, как процессоры Intel давно превысили частоту 200MHz, частота шины до недавнего времени не превышала 66MHz. Надо отметить, что реальное быстродействие системы зависит от обеих частот.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

1. Широко распространенная технология полупроводникового производства, применяемая, в частности, при производстве DRAM.
2. Энергозависимая память, применяемая для хранения установок BIOS.

COASt (Cache On A Stick) — «стандартные» модули расширения кэша, некоторое время (одновременно с появлением EDO) применялись довольно широко. Поскольку EDO первоначально рассматривалась в качестве дешевой альтернативы кэшу, введение данного стандарта легко устанавливаемого (и наоборот) кэша должно было предоставить максимальную возможность выбора конфигурации. В действительности под этим названием существует немалое количество типов и стандартов кэша, совместимых между собой зачастую лишь по разъемам. Устанавливаются вертикально и ничем, кроме трения, не фиксируются.

composite — композитный (модуль). Модуль памяти, собранный из чипов с меньшей глубиной адресного пространства, чем у самого модуля. Как правило, это происходит на ранней стадии производства модулей памяти большой емкости, когда соответствующие чипы редки и дороги. Дополнительная адресная линия модуля при этом эмулируется с помощью линии RAS чипа. Естественно, такой метод не способствуют ни быстродействию, ни совместимости, поэтому применять композитные модули следует с осторожностью. Композитный модуль, как правило, имеет дополнительную микросхему для конверсии адресного бита в RAS и необычно большое количество чипов. Само по себе большое количество чипов не является критерием композитности, но надо иметь в виду, что оно увеличивает электрическую емкость и энергопотребление, что также не улучшает работу модуля.

CPU frequency — частота процессора — рабочая частота процессора, называемая иногда также «внутренней» частотой. Равняется произведению частоты шины на фактор умножения частоты.

cycle organization — организация цикла — последовательность «элементарных» операций между двумя актами чтения/записи (как-то: зарядка RAS, ввод адреса строки, зарядка CAS, ввод адреса столбца, открытие линии данных и т.д.), а также допустимые «сокращенные» варианты такой последовательности (например, CAS-before-RAS). Типы памяти, такие, как fast page или EDO, различаются как раз допустимой сокращенной организацией цикла, поэтому иногда говорят о «цикле, организованном по типу fast page» и т. п.

cycle time — длительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа.

D

DDR (Double Data Rate) = SDRAM II

density — плотность — емкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение «уровня технологии», по которой изготовлен данный чип. В настоящее время технология 16Mb является «основной», 64Mb также постепенно перестает быть дорогой диковиной. Надо отметить, что в виде опытных образцов существуют микросхемы плотностью 1Gb.

double-side — двусторонний — термин, вообще говоря, не несущий особой смысловой нагрузки, т.к. в общем случае расположение чипов по одну или две стороны модуля памяти имеет отношение к дизайну или технологии производства, но не к архитектуре (хотя существует, конечно, ряд систем с таким расположением разъемов, которое позволяет устанавливать модули с чипами, расположенными только с одной стороны). Как правило, термин ошибочно применяется вместо двухбанковый (который и сам по себе окружен путаницей).

dual-bank — двухбанковый. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличение числа адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 2, 8, 32 и 128MB SIMM, которые в отличие от 1, 4, 16 и 64MB называются двухбанковыми (иногда те же две группы модулей называют 2-х и 4-х банковыми соответственно, поскольку первая использует 2 RAS, а вторая — 4). Аналогично для 168-контактных DIMM, с той разницей, что для их производства часто используются чипы с «неквадратным» адресным пространством (организации типа 2х8), поэтому двухбанковые модули 64 и 256MB имеют также и однобанковый вариант. Некоторые контроллеры не могут работать с двухбанковыми модулями памяти (для 72-контактных SIMM это большая редкость, для 168-контактных DIMM — довольно часто).
***Иногда встречаются 8MB 72-контактные однобанковые SIMM (у этих модулей обращение ко «второму» банку происходит не через линию RAS, а через дополнительную адресную линию, т.е. с точки зрения контроллера это 16MB SIMM, у которого не работает «верхняя половина» всех страниц. Многие контроллеры отказываются работать с такими SIMM, особенно в комплекте с другими, «нормальными». В свое время произошел массовый выброс на рынок таких SIMM, что привело к распространению легенд о существовании «неправильных» одно- или двух-сторонних или -банковых SIMM безотносительно к их емкости. К сожалению, авторы многих мануалов к материнским платам разделяли это недоумение.

DIMM (Dual In-Line Memory Module) — наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит), устанавливаемые в разъем вертикально и фиксируемые защелками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM.

DIP (Dual In-line Package) — микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых «вниз». Чрезвычайно распространенная упаковка во времена «до» модулей памяти.

DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память — разновидность RAM, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам — емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку.

DRAM module — модуль памяти — устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы, буферы, logic parity и т.п.

E

ECC (Error Checking and Correction) — выявление и исправление ошибок (возможны другие дешифровки того же смысла) — алгоритм, пришедший на смену «контролю четности». В отличие от последнего каждый бит входит более чем в одну контрольную сумму, что позволяет в случае возникновения ошибки в одном бите восстановить адрес ошибки и исправить ее. Как правило, ошибки в двух битах также детектируются, хотя и не исправляются. ECC поддерживают практически все современные серверы, а также некоторые чипсеты «общего назначения». Надо отметить, что ECC не является панацеей от дефективной памяти и применяется для исправления случайных ошибок.

ECC DIMM — для 168-контактных DIMM термин идентичен понятию «DIMM с четностью», т.е. 72-битный.

ECC-on-SIMM — SIMM с интегрированным контроллером ECC, применявшиеся в некоторых моделях серверов IBM, Digital и HP. Распространения не получили.

ECC SIMM — термин не корректен, поскольку может обозначать разные объекты, которые имеют между собой общего только то, что являются SIMM и предназначены к использованию в контроллерах, которые позволяют с их помощью реализовать ECC. В частности, помимо указанных ниже, под это определение подпадают некоторые SIMM, не удовлетворяющие JEDEC, в частности ECC-on-SIMM, а также стандартные SIMM с четностью, которые могут быть использованы для поддержки ECC в большинстве устройств сравнительно недавнего производства. Непосредственно ECC SIMM — это:

1. SIMM стандарта JEDEC x39 или x40 — 39- или 40-битные 72-контактные SIMM, применявшиеся в ранних реализациях ECC.
2. SIMM x36 (то есть 36-битные, как и «обычные» SIMM с четностью). Главное отличие — SIMM с четностью логически имеет жесткое соответствие одного бита четности каждым 8 бит «основной» памяти, выраженное в том, что эти 9 бит имеют одну общую линию CAS. Физически как правило на каждые 2 чипа «основной» памяти приходится 1 бит четности — всего 8+4=12 чипов для, например, 16MB. ECC SIMM состоит из 36 равнозначных бит, все на одной линии CAS. Физически это 9 идентичных чипов для тех же 16MB. Надо отметить, что SIMM с четностью как правило работают (и обеспечивают ECC) в системах, предназначенных для данного класса ECC SIMM, в то время как последние неспособны работать в системах с «обычной» четностью.

EDO (Extended Data Out) — разновидность асинхронной DRAM, очень широко применявшаяся в последние 2 года. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по «конвейерной» схеме — линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.

F

fast page — дословно быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с обычным циклом (RAS, затем CAS), использовать сокращенный, при котором RAS фиксирован, и соответственно его зарядка не требует времени. На сегодняшний день fast page — наиболее медленная из реально применяемых организаций памяти, однако еще сравнительно недавно это был единственный выбор для систем с контролем четности.

flash — разновидность энергонезависимой памяти с низким (сопоставимым с DRAM) временем доступа по чтению и относительно высоким временем записи. Используется для компактных внешних запоминающих устройств, а также для хранения редко перезаписываемых программных компонент (например, BIOS или операционной системы некоторых узкофункциональных устройств). Существует, в частности, в виде форм-фактора SIMM.

FPM (Fast Page Mode) — см. fast page.

G

generic — термин, противоположный brand-name (в каждом из смыслов). В наиболее общем виде — нечто, лишенное признаков либо производства известным производителем, либо предназначения конкретно для системы известного же производителя. В последнем смысле близок понятию «стандартный».

Gigabit — гигабит, Gb — 1024 мегабит, т.е. 1,073,741,824 бит.

Gigabyte — гигабайт, GB — 1024 мегабайт, т.е. 1,073,741,824 байт.

gold lead — золоченые контакты — разновидность покрытия контактов модуля. В SIMM в настоящее время применяется редко, для DIMM — практически обязательно.

H

hyper page mode — то же, что EDO.

I

IC (Integral Circuit) — интегральная схема — более умное название для чипа.

interleave — чередование — способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный, как и многие другие, на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам. Реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k=2ⁿ раз (это число называется коэффициентом interleave и иногда записывается в виде k:1). Таким образом, каждый банк состоит из k «нормальных» банков. Контроллер распределяет «нормальное» адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (напомним, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше, кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

I/O line (Input/Output Line)- линия ввода-вывода — каждая из линий, в совокупности составляющих шину, и способных пропустить один бит «за раз».

J

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) — организация, разрабатывающая стандарты на электронные устройства, в том числе на модули памяти.

JEIDA (Japanese Electronics Industry Development Association) — как следует из названия, японская организация, имеющая отношение к разработке стандартов на электронное оборудование.

K

key — ключ — вырез в модуле памяти, который вместе с выступом в разъеме предотвращает неправильную установку модуля. 30- и 72-контактные SIMM имели вырез в углу со стороны 1-го контакта, последний, кроме этого — вырез посередине (интересно, что японские компьютеры имели более высокий выступ посредине разъема SIMM, соответственно, «чужие» SIMM туда не устанавливались, а в обратную сторону совместимость была). У 72-контактных SO DIMM высота выреза была использована для контроля рабочего напряжения (опять же, невозможно было установить модули с рабочим напряжением 5 вольт в разъемы с напряжением 3.3 вольт, но не наоборот). Для 168-контактных DIMM было применено другое решение — ключи (и соответствующие выступы) стали смещать вдоль, что сделало невозможным установку «неправильного» модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство. Такие DIMM имеют 2 ключа, задающие напряжение питания и буферизованность.

kilobit — килобит, kb — 1024 бит. Надо отметить, что при подсчете объемов информации для введения высших разрядов вместо привычной тысячи используется 1024=2¹⁰, что иногда порождает путаницу.

kilobyte — килобайт, kB — 1024 байт.

L

L2 cache (Level 2 cache) — кэш 2-го уровня — кэш между процессором и подсистемой памяти. Работает, как правило, на частоте шины и смонтирован на материнской плате (хотя в старших процессорах Intel его начали устанавливать в одной микросборке или модуле с процессором, а также увеличили частоту). Для кэша 2-го уровня практически всегда используется SRAM. Характерные емкости — от 256kB до 1MB на процессор. Объем и быстродействие кэша 2-го уровня оказывают значительное воздействие на быстродействие системы в целом. Следует иметь в виду, что иногда установка в систему дополнительной памяти (как правило, свыше 64MB) может заметно замедлить ее работу, если контроллер не поддерживает кэширование этой памяти.

lead finish — покрытие контактов — термин, относящийся к модулям памяти. Контакты бывают «золоченые» (gold-lead) и «луженые» (tin-lead), причем на цене модуля материал покрытия никак не отражается. Производители компьютеров, как правило, рекомендуют уделять особое внимание соответствию материалов контактов модулей и разъемов, хотя, по мнению некоторых независимых источников, опасения по поводу гальванической коррозии, которую могут вызвать разные покрытия контактов, сильно преувеличены.

logic parity (bridge parity, fake parity, parity emulation etc) — ложная четность — техническое решение, позволяющее сэкономить на чипах четности, стоимость которых составляет заметную часть стоимости модуля памяти. Вместо чипов четности на модуль устанавливается логическая микросхема, которая при чтении данных вычисляет контрольную сумму и предъявляет ее контроллеру, как если бы она хранилась в модуле. Поскольку никакого контроля четности реально места не имеет, рекомендовать такие модули можно в единственном случае — если вы имеете материнскую плату, в которой невозможно отключить контроль четности, но не хотите за четность платить (скорее всего — это 486-я плата выпуска 1994 года и раньше). Следует также опасаться случаев, когда память с логической четностью выдается за память с четностью истинной — в частности, память вообще может не заработать в вашем компьютере (например, потому что он использует ECC, и вообще любые логические схемы понижают совместимость модуля), да и бескорыстным этот обман вряд ли будет, наконец, в самом лучшем случае вы будете пребывать в ложной уверенности, что ваша система выполняет контроль четности, когда это не так. Ложную четность иногда можно отличить, учитывая, что «логический» чип часто выпускается в упаковке TQFP. Косвенным признаком для 72-контактных SIMM также является наличие лишь одного чипа четности (двух для двухбанковых SIMM), хотя это может быть и Quad-CAS. Надо остерегаться и чипов с необычной (для микросхем памяти) маркировкой, хотя в наиболее неприятных случаях маркировка может быть подделана.

long DIMM — длинный DIMM — термин, как правило обозначающий 168-контактный DIMM, в более общем случае — противоположный SO DIMM.

low grade — низкосортный — термин применяется к чипам, не выдержавшим тестов на соответствие стандартам. В отличие от audio RAM, как правило, они не имеют «объемных» дефектов, но демонстрируют ухудшение характеристик (например, времени доступа) при допустимых стандартами отклонениях внешних параметров (температуры, напряжения питания). Как правило, «низкосортные» чипы продаются производителями со специальной маркировкой или в виде кремниевых пластин и предназначены изначально для некомпьютерного применения. Тем не менее, к сожалению, на рынок часто попадают модули памяти, изготовленные из таких чипов, что приводит к нестабильной работе компьютеров, в которые они установлены.

low profile — низкий (модуль) — модули памяти относительно низкой (по сравнению с допускаемой стандартами) высоты. В некоторые материнские платы (особенно если разъемы расширения памяти находятся на дополнительных картах) могут быть установлены только такие модули.

M

main memory = system memory

major — принятое в индустрии название 10-20 крупнейших производителей чипов DRAM, а также выпущенных ими чипов. Модули, произведенные этими производителями из собственных чипов и имеющие их маркировку, носят название major/major и считаются эталонными по качеству.

MDRAM (Multibank DRAM) — многобанковая DRAM — разновидность DRAM с interleave, организованным на уровне чипа, применяется преимущественно в графических подсистемах.

Megabit — мегабит, Mb — 1024 килобит, т.е. 1,048,576 бит.

Megabyte — мегабайт, MB — 1024 килобайт, т.е. 1,048,576 байт.

Megahertz — мегагерц, MHz — 10⁶ герц, т.е. операций в секунду. Единица измерения частоты, характерная для современных компьютеров, таймеры различных подсистем которых имеют частоты от нескольких мегагерц (шина ISA) до нескольких сотен мегагерц (процессоры). Системные шины имеют частоту от нескольких десятков до 100 мегагерц, до недавнего времени максимальная официальная частота для чипсетов Intel составляла 66 мегагерц.

memory — память

1. = запоминающее устройство (ЗУ) — вообще говоря, любое устройство, предназначенное для записи (по крайней мере один раз), хранения и считывания информации. В этом смысле термин в основном употребляли в эпоху нестандартных решений. Сейчас его можно встретить в сочетании ROM, а также flash memory.
2. = RAM
3. = system memory

memory card

1. Часто применяемое (особенно в портативных компьютерах) решение для нестандартного модуля памяти. Внешне очень напоминает карту PCMCIA, однако предназначена к установке в специальный разъем. Насколько можно судить, единый стандарт отсутствует, соответственно, совместимость наблюдается максимум в близких семействах моделей одного производителя.
2. Иногда так называются применяемые в некоторых компьютерах (особенно серверного класса и поддерживающих interleave) «карты расширения памяти», устанавливаемые в материнскую плату и несущие на себе разъемы для модулей.

memory controller — контроллер памяти — промежуточное устройство между системной шиной и модулями памяти. Контроллер определяет возможные тип и рабочий режим используемой памяти (в стандартных решениях зачастую и форм-фактор), организует interleave, контроль четности или ECC и т.п. Иногда имеется возможность настройки ряда параметров из BIOS Setup, в других случаях определение типа памяти и режима работы происходит автоматически. В настоящее время, как правило, контроллер памяти является частью чипсета, поэтому пара чипсет-BIOS нередко однозначно определяет возможности контроллера (хотя иногда, особенно в материнских платах высшего уровня, применяется специфический контроллер).

memory subsystem — подсистема памяти — понимаемая как единое целое (обычно с целью обсуждения, например, вопросов быстродействия) совокупность системной шины, контроллера памяти и модулей. В зависимости от постановки вопроса может включать либо не включать кэш 2-го уровня.

N

nanosecond — наносекунда, ns — 10^-9 сек. Характерное время цикла или такта для современных компьютеров — от единиц до сотен наносекунд, что соответствует частотам от сотен до единиц мегагерц. Используется для измерения времени доступа.

no-name — безымянный — чипы либо модули памяти, не имеющих маркировки (известного) производителя. Очень широко (особенно модули) представлены на рынке. Явным недостатком «безымянной» памяти является то, что никто, вообще говоря, не гарантирует ее качества (производителям качественной памяти нет ни малейшего резона скрывать свое имя).

non-volatile — энергонезависимая (память) — устройство памяти, сохраняющее информацию при выключенном питании, например, flash и различные виды EPROM.

O

operation mode — рабочий режим — организация цикла, при которой данная память работает (или способна работать), т.е. например fast page или EDO.

organization — организация — информация об устройстве чипа/модуля памяти, записываемая в виде произведения глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода. Кстати, для чипа это произведение дает его плотность, для модуля (если отбросить линии контроля четности и разделить результат на 8) — емкость. Организация не является исчерпывающим описанием логической схемы (см. для чипов например Quad-CAS или refresh).

P

package — упаковка — тип корпуса и расположения контактов чипа (например, SOJ, TSOP и т.п.).

page — страница. Довольно условный термин, чаще всего под страницей понимается набор доступных адресов при фиксированном адресе строки, иными словами, размер страницы равен числу столбцов. Надо учитывать, что строка, как правило, длинее из соображений refresh.

parity — четность, также контроль четности. Довольно старый принцип проверки целостности данных, передаваемых по любой шине (в том числе сохраняемых в памяти). Суть метода в том, что для некоторого количества (как правило, 8) бит данных на стадии записи вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется как специальный бит четности. При чтении данных контрольная сумма вычисляется снова и сравнивается с битом четности. Если они совпали, данные считаются аутентичными, в противном случае генерируется сообщение об ошибке четности (как правило, приводящее к остановке системы). Метод активно применялся в прошлом, когда подсистема памяти являлась одной из самых ненадежных в компьютере. К явным недостаткам метода относятся дороговизна памяти, требующейся для хранения лишних бит четности, незащищенность от двойных ошибок (а также ложное срабатывание при ошибке в бите четности), остановка системы даже при непринципиальной ошибке (скажем, в видеокадре). В настоящее время, учитывая возросшее качество памяти и низкую вероятность ошибок, применяется все реже — в системах низкого уровня используется более дешевая память без контроля четности, в системах высокого — более результативная схема ECC.

parity bit — бит четности — дополнительный бит для контрольной суммы, а также линия ввода/вывода для его передачи.

parity chip — чип четности — чип, предназначенный для хранения бита четности в соответствующем SIMM, как правило однобитный (организации х1), хотя встречаются чипы типа Quad-CAS, объединяющие несколько независимых однобитных чипов в одной упаковке.

parity SIMM — SIMM с четностью. Для 30-контактного SIMM — с организацией x9, т.е. 8 основных бит плюс бит четности. Для 72-контактного SIMM, как правило, имеется в виду SIMM организации x36, причем на каждом из 4-х CAS находится 8 основных бит плюс бит четности. Такая организация отличает его от ECC SIMM x36. Никакого принципиального значения это разделение на группы по 9 бит не имеет, поскольку в подавляющем большинстве случаев доступ по отдельному CAS невозможен. Скорее всего, этот принцип идет от тех времен, когда 72-контактные SIMM только приходили на смену 30-контактным, чтобы сымитировать 4 30-контактных модуля и облегчить переход без значительной переработки контроллера. В принципе, под определение подпадают и довольно редкие модули x18 и x33.

PCB (Printed Circuit Board) — печатная плата. Качество дизайна и изготовления печатной платы может сильно повлиять на качество модуля памяти. В частности, считается, что предназначенная для модулей памяти печатная плата должна состоять как минимум из 4 слоев (для предотвращения «наводок»).

PC Card — более современное, хотя так окончательно и не прижившееся, название для стандарта PCMCIA. Не путать с memory card.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) — в противовес своему названию имеет мало отношения к памяти как таковой. Стандарт шины и разъема расширения для подключения внешних устройств (в том числе хранения информации, но отнюдь не оперативной памяти) к портативным компьютерам. Не путать с memory card.

pinout — разводка — соответствие между контактами чипа или модуля и его логической схемой. Внешне совершенно стандартный модуль может по той или иной причине иметь необычную разводку (и, следовательно, архитектуру).

pin — контакт, для пайки или установки в разъем, не обязательно в виде проволочки.

pipeline — конвейер — метод доступа к данным, при котором можно продолжать чтение по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.

POST (Power-On Self Test) — процесс определения системой своей конфигурации при загрузке (тестом фактически не является). В принципе, память с серьезными дефектами не будет распознана как таковая уже на этой стадии. Следует иметь в виду, что на результат POST могут повлиять установки BIOS Setup.

PRD (Presence Detect) — информация о типе, емкости и времени доступа модуля памяти, закодированная с помощью заземления или незаземления специально предназначенных для этой цели контактов. В частности, контакты с 67-го по 70-й 72-контактного SIMM, будучи электрически соединены (или наоборот) с 72-м контактом, обеспечивают 4 бит информации, в которых может быть записана емкость и время доступа SIMM. Контактные площадки под нулевые резисторы для заземления можно видеть с правой стороны SIMM, если смотреть на него, расположенного горизонтально с ключом в левом нижнем углу. PRD описано в JEDEC. Тем не менее подавляющее большинство контроллеров памяти PRD не использует, соответственно, в SIMM, произведенных «безымянными» изготовителями, PRD зачастую отсутствует, что может повлечь несовместимость с системами, которым PRD требуется. Старые модели IBM (эпохи PS/2) также использовали PRD, причем нестандартное. JEDEC описывает также PRD для DIMM. В последнее время (в частности, для SDRAM DIMM) применяется SPD.

profile — форм-фактор — в наиболее общем виде — тип разъема и геометрические размеры (включая размеры ключей, выступающих частей и т.д.) модуля памяти. Некоторые системы по причинам, происходящим из геометрии, работают с модулями стандартной архитектуры, но с некоторыми ограничениями форм-фактора (см. low profile).

proprietary — термин, обратный понятию «стандартный», т.е. предназначенный для конкретной системы и только для нее.

Q

Quad-CAS — микросхема четности, предназначенная для 72-контактных SIMM и как бы объединяющая в себе 4 независимых однобитных чипа четности, доступ к каждому из которых идет по отдельной линии CAS. Как правило, речь идет о чипе организации 1х4 (сумма четырех 1х1). Выпускались, в частности, Micron. SIMM с таким чипом являются «истинными» SIMM с четностью, и их следует отличать от SIMM с «ложной четностью», имеющих то же количество чипов. В принципе, существовали и чипы Double-CAS (в частности, OKI), представлявшие собой сумму 2-х чипов.

R

Rambus DRAM — технология DRAM, разработанная компанией Rambus и позволяющая создавать память с высокой пропускной способностью (несколько сотен Mb/сек). Поскольку технология официально поддержана компанией Intel, высока вероятность того, что эта память будет основной в компьютерах будущего. Тем не менее, поскольку стандарт не является открытым, а защищен патентом и как следствие подлежит лицензированию, консорциум major-производителей ведет разработку конкурирующего стандарта SLDRAM. В настоящее время уже применяется в видеоподсистемах высокого уровня.

RAM (Random Access Memory) — память со случайным доступом

1. Любое устройство памяти, для которого время доступа по случайному адресу равняется времени доступа по последовательным адресам. В этом смысле термин практически утратил свое значение, так как современные технологии RAM используют методы оптимизации последовательного доступа, но в прошлом это действительно было критерием для отличения устройств, предназначенных для оперативного хранения небольших объемов данных (в русской традиции — оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) от устройств для постоянного хранения больших массивов (постоянное или программное ЗУ, ПЗУ). Сейчас очевидно, что реальным критерием является энергозависимость.
2. = volatile RAM = ОЗУ (см. выше) — устройство памяти, предназначенное для оперативного хранения данных, необходимых для работы компьютера. Фактически разделяется на SRAM и DRAM.
3. = system memory

RAS (Row Access Strobe) — регистр обращения к строке. Сигнал, поданный на линию RAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес строки.

RDRAM = Rambus DRAM

ROM (Read-Only Memory) — память без перезаписи — вообще говоря, любое запоминающее устройство, перезапись информации на котором невозможна в принципе. В настоящее время термин самостоятельной ценности не имеет, применяясь иногда в аббревиатурах (CD-ROM), в том числе и для описания устройств, допускающих перезапись, хотя в основном предназначенных для чтения (EEPROM).

refresh — подзарядка. Как известно, состоянием ячейки памяти DRAM является наличие/отсутствие заряда на конденсаторе. Этот заряд подвержен утечке, поэтому для сохранения данных конденсатор необходимо время от времени подзаряжать. Это достигается подачей на него время от времени напряжения (несложная диодная конструкция обеспечивает refresh только тех конденсаторов, на которых уже есть заряд). Нормальный цикл подзарядки происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Поэтому вообще говоря чип с меньшим количеством строк подзаряжается быстрее.
*** Часто встречаются упоминания о чипах, скажем 2k refresh, 4k refresh и т.п. Число nk здесь означает «длину строки», т.е. количество столбцов. История здесь следующая. Нормальное количество столбцов (как и строк) для чипа организации 4х4 (16-мегабитный чип с адресным пространством 4Mb, именно такие чипы используются для SIMM 16 и 32MB) равняется 2k (квадратный корень из 4M как размера квадратной матрицы). Однако с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени refresh были разработаны чипы с «неквадратной» адресной матрицей, имевшие 1к строк и соответственно 4к столбцов (4к refresh, см. выше). К сожалению, стандартные контроллеры памяти PC того времени (к Mac, например, это не относилось) оказались не способны работать с такими чипами, кроме того, на их основе практически невозможно было создать память с четностью (из-за «квадратности» чипов четности). В результате словосочетание 4k refresh приобрело в массовом сознании абсолютно ругательный смысл (в частности, насколько мне известно, большинство Pentium-контроллеров прекрасно способны были работать с чипами 4k, но рынок отказывался их потреблять). Появление DIMM, которые использовали четность не «в манере» SIMM с четностью, а просто как дополнительные 8 бит, сняло ограничения, и сечас чипы 16Mb 4×4 4k refresh активно применяются.

registered — аналог понятию buffered для SDRAM DIMM, пока еще не нашло широкого употребления.

remark — перемаркировка

1. Вообще говоря, любое изменение уже нанесенной на чип маркировки. Как правило, выполняется изготовителем в том случае, когда уже промаркированная партия чипов показала несоответствующие маркировке (возможно, и более высокие) результаты на тестах. Может выполняться в виде изменения уже указанного на чипе времени доступа (как правило, следы этого изменения хорошо видны, поскольку никто не пытается их скрыть). Такого рода партии перемаркированных чипов обычно выпускаются на рынок с сответствующими сертификатами и ничего дурного собой не представляют. Другой вариант — когда партия чипов не выдержала теста на соответствие стандартам высшего качества, однако пригодня для использования как low grade или audio RAM. В этом случае верхний слой пластика с первоначальной маркировкой снимается и наносится low grade маркировка. Такие чипы также являются полноценными (если это слово применимо к low grade).
2. К несчастью, имелись случаи (в последнее время, к счастью, реже) «злоумышленной» перемаркировки чипов, когда не соответствующая неким стандартам память выдавалась за стандартную с целью извлечения прибыли (как правило, делали это не производители). Характерным признаком такой подделки являются следы снятия верхней поверхности чипа (которые редко удается скрыть) под маркировкой известного производителя. Рекомендуется не применять модулей, собранных из таких чипов, ни в коем случае.

S

SDRAM (Synchronous DRAM) — синхронная DRAM — название синхронной памяти «первого поколения», широко применяющейся в настоящее время и имеющей пропускную способность порядка 100Mb/сек.

SDRAM clock — можно встретить указание, что те или иные чипы или модули SDRAM являются 2 clock или 4 clock. Под clock здесь понимается линия ввода сигнала таймера. Насколько можно судить, 4 clock чипы поддерживают внутричиповый interleave более высокого уровня (4-банковый?), т.е. являются вообще говоря более передовыми. Достоверной информации о совместимости этих двух типов SDRAM с разными чипсетами и реальных выигрышах в скорости пока нет.

SDRAM II — находящийся в стадии разработки SDRAM следующего поколения, который должен будет поддерживать вдвое большую (200Mb/сек) пропускную способность. Реальных шин с такой высокой частотой пока не существует.

SGRAM (Synchronous Graphic RAM) — разновидность синхронной видеопамяти.

SIMM (Single In-line Memory Module) — наиболее распространенный в течение долгого времени форм-фактор для модулей памяти. Представляет собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, фиксируется в разъеме поворотом с помощью защелок. Контакты с двух сторон платы на деле являются одним и тем же контактом (single). Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (ширина шины 8 и 32 бит соответственно).

single-bank — однобанковый — см. dual-bank.

single-side — односторонний — см. double-side.

SIP (Single In-Line Package) — разновидность форм-фактора модулей памяти, вытеснены SIMM и в настоящее время почти не встречаются. Проще всего описать их как SIMM, у которого контакты не «наклеены» на плату, а имеют форму иголок (pin в первоначальном значении этого слова) и торчат в виде гребенки.

SLDRAM (SyncLink DRAM) — условное название высокоскоростной памяти, разрабатываемой консорциумом производителей в качестве открытого стандарта в противовес Rambus DRAM.

slot — разъем. Как правило, это название используется для разъемов, куда «вставляются» платы расширения, в том числе модули типа SIMM и DIMM. Разъемы, куда «втыкаются» ножки (чипов либо разъемов «противоположного пола»), называются socket.

SMT (Surface Mount Technology) — технология поверхностного монтажа, основной способ изготовления модулей памяти и многих других устройств на основе печатных плат. Смысл метода в том, что вместо пайки каждого контакта по отдельности все чипы «приклеиваются» на печатную плату, заранее покрытую припоем по трафарету, после чего плата прогревается в специальной печи, в результате чего припой плавится и чипы оказываются припаянными.

SO DIMM (Small Outline DIMM) — разновидность DIMM малого размера (small outline), предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно). Способ установки аналогичен SIMM.

SOJ (Small Outline J-shaped) — разновидность микросхем, одна из наиболее широко применяемых для упаковки DRAM. Контакты микросхемы изогнуты в форме буквы J коротким концом под микросхему.

SPD (Serial Presence Detect)- разновидность PRD у 168-контактных DIMM (как правило, небуферизованных). Выполнена не в виде набора резисторов на контактных площадках, а в виде единой микросхемы EPROM, причем записанная в ней информация не описана в databook производителей (и, предположительно, является предметом отдельного соглашения и включает «необычную» информацию наподобие имени производителя). Модули «безымянного» производства SPD, как правило, не имеют. По крайней мере некоторые платы на чипсете 440LX требуют от модулей наличия SPD. По разным версиям это предпринято либо для того, чтобы отсечь от рынка «безымянных» производителей, либо с целью обеспечить автоматическое определение времени доступа, что будет актуально для грядущих скоростных модулей и шин.

specific — специфический — в общем виде — модуль памяти, предназначенный для использования в конкретной системе (или классе систем) конкретного производителя. Термин несколько более мягкий, чем proprietary, так как не отрицает возможности того, что указанная система может расширяться и стандартными модулями.

speed — скорость или быстродействие — некорректный термин, может обозначать либо тактовую частоту, либо время доступа.

SRAM (Static RAM) — статическая память — разновидность RAM, единицей хранения информации в которой является состояние «открыто-закрыто» в транзисторной сборке. Используется приемущественно в качестве кэш-памяти 2-го уровня. Ячейка SRAM более сложна по сравнению с ячейкой DRAM, поэтому более высокое быстродействие SRAM компенсируется высокой ценой. Несмотря на низкое энергопотребление, является энергозависимой.

standard — стандартный — то есть соответствующий неким общеизвестным техническим спецификациям (для модулей памяти, как правило, JEDEC), и, следовательно, имеющий широкую область применения, не ограниченную конкретной системой.

static column — статический столбец. Память со статическим столбцом — выпускавшаяся некоторое время, но не получившая распространения из-за высокой цены более быстрая разновидность fast page.

synchronous — синхронный — устройство памяти, цикл обращения к которому состоит из операций, имеющих одинаковую длительность, что позволяет синхронизировать его с системным таймером для оптимального взаимодействия между устройством и шиной. Синхронные устройства являются более передовыми по отношению к асинхронным, и в настоящее время идет процесс полного перехода к ним.

system memory — оперативная память — память (в подавляющем большинстве случаев — DRAM), использующаяся для хранения активных программ и данных. Количество и быстродействие оперативной памяти оказывают чрезвычайно серьезное воздействие на быстродействие современных компьютеров. Работает на частоте системной шины. Доступ процессора к оперативной памяти происходит через кэш 2-го уровня. Некоторые подсистемы компьютера способны обращаться к оперативной памяти напрямую, минуя процессор.

T

timing diagram — временная диаграмма — количества тактов системной шины, необходимых для доступа к случайно выбранному адресу и следующим за ним адресам. Характерные диаграммы для разных типов памяти (в предположении, что они достаточно быстры, чтобы оптимально взаимодействовать с шиной) — 5-3-3-3 (fast page), 5-2-2-2 (EDO), 5-1-1-1 (SDRAM).

tin-lead — луженые контакты — разновидность покрытия контактов модуля, по непроверенным данным, с добавлением палладия. Большинство выпускаемых сейчас SIMM и разъемов для них имеют именно это покрытие.

TQFP (Thin Quad Flat Package) — разновидность микросхем плоской квадратной формы с контактами вдоль всех четырех сторон. Применяется в основном для многоконтактных чипов, в частности кэша.

TSOP (Thin Small Outline Package) — разновидность микросхем плоской формы. В настоящее время в области DRAM применяется довольно широко, особенно для упаковки низковольтных микросхем.

U

unbuffered — небуферизованный (модуль). Термин применяется к «обычным» 168-контактным DIMM, чтобы отличить их от буферизованных.

unified memory — объединенная память — технология, при которой видеоадаптеру выделяется часть системной памяти, так что нет необходимости устанавливать для него отдельную видеопамять. При всей своей экономичности и возможности программно менять количество видеопамяти технология является компромиссной, так как видеопамять должна, вообще говоря, быть более быстрой, чем «стандартная».

V

volatile — энергозависимая (память) — устройство памяти, теряющее информацию при отключении напряжения питания. К ним относятся, в частности, DRAM и SRAM.

voltage — напряжение питания. Современные чипы памяти имеют напряжение питания 3.3 или 5 вольт (последние пока еще более распространены). Как правило, напряжение питания модулей памяти предопределено конструкцией материнской платы и не может быть изменено для одного типа модулей. Плата, поддерживающая разные типы модулей (например, SIMM и DIMM), может поддерживать разное напряжение питания для каждого типа, но при этом необязательно оба сразу. Надо также отметить, что модули памяти являются одним из наиболее энергопотребляющих устройств компьютера, поэтому снижение их напряжение питания представляется естественным путем к системам с большим объемом памяти.

video RAM — видеопамять

1. вообще говоря, любая память, используемая в графической подсистеме (как правило, в качестве буфера кадров).
2. разновидность памяти, специально созданная для применения в графических подсистемах, например, VRAM, WRAM, SGRAM и т.п. Чаще всего оптимизирована по отношению к «обычной» памяти с использованием того факта, что буфер кадров по умолчанию не требует хранения уже однажды использованной информации, т.е. одновременно с чтением можно (и нужно) производить запись.
3. =VRAM

VRAM (Video RAM) — одна из первых разновидностей видеопамяти, позволяет производить чтение и запись информации за один цикл обращения.

W

WRAM (Window RAM)- разновидность видеопамяти, примененная, в частности, в видеокартах Matrox.

Z

ZIP (Zig-Zag In-Line Package) — разновидность упаковки микросхем, в частности, применявшаяся для видеопамяти. Контакты расположены вдоль одной из длинных сторон чипа в зигзагообразном порядке.

© Все права в отношении данного документа принадлежат автору. При воспроизведении обязательно сохранение данного уведомления и указание имени и координат автора. Коммерческое использование допускается только с письменного разрешения автора. Документ приведен с небольшими сокращениями, оригинал под названием Глоссарий терминов и сокращений, имеющих отношение к памяти находится на сайте Paul’s Den.

Python. Урок 13. Модули и пакеты

Модули и пакеты значительно упрощают работу программиста. Классы, объекты, функции и константы, которыми приходится часто пользоваться можно упаковать в модуль, и, в дальнейшем, загружать его в свои программы при необходимости. Пакеты позволяют формировать пространства имен для работы с модулями.

Что такое модуль в Python?

Под модулем в Python понимается файл с расширением .py. Модули предназначены для того, чтобы в них хранить часто используемые функции, классы, константы и т.п. Можно условно разделить модули и программы: программы предназначены для непосредственного запуска, а модули для импортирования их в другие программы. Стоит заметить, что модули могут быть написаны не только на языке Python, но и на других языках (например C).

Как импортировать модули в Python?

Самый простой способ импортировать модуль в Python это воспользоваться конструкцией:

import имя_модуля

Импорт и использование модуля math, который содержит математические функции, будет выглядеть вот так.

>>> import math
>>> math.factorial(5)
120

За один раз можно импортировать сразу несколько модулей, для этого их нужно перечислить через запятую после слова import:

import имя_модуля1, имя_модуля2

>>> import math, datetime
>>> math.cos(math.pi/4)
0.707106781186547
>>> datetime.date(2017, 3, 21)
datetime.date(2017, 3, 21)

Если вы хотите задать псевдоним для модуля в вашей программе, можно воспользоваться вот таким синтаксисом:

import имя_модуля as новое_имя

>>> import math as m
>>> m.sin(m.pi/3)
0.866025403784438

Используя любой из вышеперечисленных подходов, при вызове функции из импортированного модуля, вам всегда придется указывать имя модуля (или псевдоним). Для того, чтобы этого избежать делайте импорт через конструкцию from … import…

from имя_модуля import имя_объекта

>>> from math import cos
>>> cos(3.14)
0.999998731727539

При этом импортируется только конкретный объект (в нашем примере: функция cos), остальные функции недоступны, даже если при их вызове указать имя модуля.

>>> from math import cos
>>> cos(3.14)
-0.999998731727539
>>> sin(3.14)
Traceback (most recent call last):
  File "<pyshell#2>", line 1, in <module>
    sin(3.14)
NameError: name 'sin' is not defined
>>> math.sin(3.14)
Traceback (most recent call last):
  File "<pyshell#3>", line 1, in <module>
    math.sin(3.14)
NameError: name 'math' is not defined

Для имортирования нескольких функций из модуля, можно перечислить их имена через запятую.

from имя_модуля import имя_объекта1, имя_объекта2

>>> from math import cos, sin, pi
>>> cos(pi/3)
0.500000000000000
>>> sin(pi/3)
0.866025403784438

Импортируемому объекту можно задать псевдоним.

from имя_модуля import имя_объекта as псевдоним_объекта

>>> from math import factorial as f
>>> f(4)
24

Если необходимо импортировать все фукнции, классы и т.п. из модуля, то воспользуйтесь следующей формой оператора from … import …

from имя_модуля import *

>>> from math import *
>>> cos(pi/2)
6.123233995736766e-17
>>> sin(pi/4)
0.707106781186547
>>> factorial(6)
720

Что такое пакет в Python?

Пакет в Python – это каталог, включающий в себя другие каталоги и модули, но при этом дополнительно содержащий файл __init__.py. Пакеты используются для формирования пространства имен, что позволяет работать с модулями через указание уровня вложенности (через точку).

Для импортирования пакетов используется тот же синтаксис, что и для работы с модулями.

Использование пакетов в Python

Рассмотрим следующую структуру пакета:

fincalc
|-- __init__.py
|-- simper.py
|-- compper.py
|-- annuity.py

Пакет fincal содержит в себе модули для работы с простыми процентами (simper.py), сложными процентами (compper.py) и аннуитетами (annuity.py).

Для использования фукнции из модуля работы с простыми процентами, можно использовать один из следующих вариантов:

import fincalc.simper
fv = fincalc.simper.fv(pv, i, n)

import fincalc.simper as sp
fv =sp.fv(pv, i, n)

from fincalc import simper
fv = simper.fv(pv, i, n)

Файл __init__.py может быть пустым или может содержать переменную __all__, хранящую список модулей, который импортируется при загрузке через конструкцию

from имя_пакета import *

Например для нашего случая содержимое __init__.py может быть вот таким:

__all__ = ["simper", "compper", "annuity"]

P.S.

Если вам интересна тема анализа данных, то мы рекомендуем ознакомиться с библиотекой Pandas. На нашем сайте вы можете найти вводные уроки по этой теме. Все уроки по библиотеке Pandas собраны в книге “Pandas. Работа с данными”.

<<< Python. Урок 12. Ввод-вывод данных. Работа с файлами

Определение модуля по Merriam-Webster

модуль

| \ ˈMä- (ˌ) jül

\

1

: стандарт или единица измерения

2

: размер какой-либо одной части, взятой за единицу измерения, с помощью которой регулируются пропорции архитектурной композиции.

3а

: любые из серии стандартизированных единиц для совместного использования: например,

(1)

: единица мебели или архитектуры

(2)

: образовательная единица, охватывающая один предмет или тему.

б

: функциональная сборка электронных компонентов в стандартной упаковке для использования с другими подобными сборками.

модуль сабвуфера

4

: независимо управляемый блок, который является частью общей конструкции космического корабля.

5а

: подмножество аддитивной группы, которая также является добавляемой группой

б

: математическое множество, которое является коммутативной группой при сложении и которое замкнуто при умножении, которое является дистрибутивным слева или справа или обоими элементами кольца, и для которого a (bx) = (ab) x или (xb) a = x (ba) или оба, где a и b являются элементами кольца, а x принадлежит набору

Что означает модуль?

Базз Олдрин:

Олдрин в лунном модуле Аполлона 11 .К 50-летию посадки Omega выпустила часы Speedmaster ограниченным тиражом, посвященные той, которую Базз Олдрин носил на Луне. (Нил Армстронг / НАСА через AP) «Я предварял отчаяние великолепным, потому что человечество тянется вовне и совершает то, что люди считали невозможным», — сказал Базз Олдрин. Они мечтали как-нибудь добраться до Луны. И демонстрировать, участвовать в демонстрации этого чуда было великолепно. 16 июля 1969 года Базз Олдрин, вместе с командиром миссии Нилом Армстронгом и пилотом модуля Майкл Коллинз стартовали из Космического центра Кеннеди на ракете Сатурн V.Четыре дня спустя Нил Армстронг вошел в историю, когда Нил Армстронг стал первым человеком, ступившим на Луну. Олдрин активировал лунный модуль через 19 минут после Нила Армстронга. Знаменитый космонавт пошутил, что он второй во время интервью. АПОЛЛОН 11 ИНСАЙДЕРЫ ПОМНИТ ИСТОРИИ САМАЯ ИЗВЕСТНАЯ КОСМИЧЕСКАЯ МИССИЯ: У НАС была РАБОТА, И МЫ СДЕЛАЛИ ЭТО Я навсегда, что бы я ни делал, буду известен как второй человек на Луне, — пошутил он. На этой фотографии, сделанной 20 июля 1969 года, предоставленной НАСА, астронавт Базз Олдрин, пилот лунного модуля , идет по поверхности Луны во время полета космического корабля «Аполлон-11».(Нил Армстронг / НАСА через AP) Почему вам мешает быть вторым человеком, ступившим на Луну? «Ты один из дюжины мужчин, у которых была эта невероятная роль», — задал Кавуто следующий вопрос. Ну, людям нравится быть вице-президентом, не так ли? Нет, — усмехнувшись, ответил Базз Олдрин. APOLLO 11S ЭПИЧЕСКАЯ МИССИЯ НА ЛУНУ В ФОТОГРАФИЯХ Меня это беспокоит? — Да, немного, — продолжил Базз Олдрин. Почему ? Потому что это не тот способ, которым я бы описал то, что эта страна сделала с двумя людьми, высадившимися на Луну и затем решившими, кто будет уходить.Мы делали что-то вместе, как одна команда. Знаменитый космонавт также вспоминает свои знаменитые шаги по поверхности Луны и то, как он хорошо осознавал, что мир наблюдает. В самом конце нашего периода Базз Олдрин что-то делал с каменными ящиками — я знал, где находится телекамера, прыгал вверх и вниз и скакал вокруг, чтобы продемонстрировать мобильность, которая есть у человека, сказал он. Итак, я демонстрировал людям, которые смотрели по телевизору, намеренно показывая им разновидности кенгуру-хмеля.АПОЛЛОН 11 ИНСАЙДЕРЫ ПОМНИТ ИСТОРИИ НАИБОЛЕЕ ИЗВЕСТНАЯ КОСМИЧЕСКАЯ МИССИЯ: МЫ СДЕЛАЛИ РАБОТУ, И МЫ СДЕЛАЛИ ЕЕ Во время беседы с Кавуто Базз Олдрин также вспомнил, как оглядывался на Землю, находясь на поверхности Луны. [Вы] посмотрите туда, вот и земля. Когда он там наверху, он кажется маленьким. «Если вы присмотритесь, то сможете увидеть лед над шестом», — сказал он. Если вы посмотрите на свои часы Omega, вы сможете сказать, который час в Хьюстоне. Базз Олдрин также рассказал о политическом значении их миссии на Луну, которая состоится во время космической гонки с Россией в разгар холодной войны.АПОЛЛОН 11: КНИГА, ПОСАДОВАЯ ЧЕЛОВЕКА НА ЛУНУ, МОГЛА ПРОДАТЬ ЗА 9 МИЛЛИОНОВ долларов Сегодня я много думаю о ком-то, у кого хватило смелости увидеть, что нас затмили Советский Союз, и сказать, что мы можем сделать?

Создание модулей XHTML — определение абстрактных модулей

Построение модулей XHTML — определение абстрактных модулей

Этот раздел норматив .

Абстрактный модуль — это определение модуля XHTML с использованием
прозаический текст и некоторые неформальные правила разметки.Хотя такой
определение обычно не используется в машинной обработке
типов документов, это очень важно для помощи людям
понять, что содержится в модуле. Эта секция
определяет способ определения абстрактных модулей XHTML.
Модуль, соответствующий XHTML, не требуется для
предоставить абстрактный модуль. Однако любой, кто разрабатывает
Модулю XHTML рекомендуется предоставлять абстракцию для облегчения
в использовании этого модуля.

4.1. Синтаксический
Условные обозначения

Абстрактные модули не определены в формальной грамматике.
Однако определения соответствуют следующему синтаксису
условности. Эти соглашения аналогичны соглашениям XML.
DTD и должны быть знакомы авторам XML DTD. Каждый
дискретный синтаксический элемент можно комбинировать с другими, чтобы
составлять более сложные выражения, соответствующие алгебре
определено здесь.

имя элемента

Когда элемент включен в модель содержимого, его
явное имя будет указано.

Набор содержимого

Некоторые модули определяют списки явных имен элементов, называемых
наборов содержимого . Когда набор содержимого включен в
модель содержимого, будет указано ее имя.

expr?

Допускается ноль или один экземпляр expr.

expr +

Требуется один или несколько экземпляров или expr.

выражение *

Допускается ноль или более экземпляров expr.

а, б

Требуется выражение a , за которым следует
выражение b .

a | б

Требуется либо выражение a, либо выражение b.

а - б

Выражение a разрешено без элементов в выражении
б.

скобки

Когда выражение заключено в круглые скобки,
оценка любых подвыражений в круглых скобках
имеют место перед вычислением выражений за пределами
круглые скобки (начиная с самого глубокого уровня вложенности
первый).

расширение предопределенных элементов

В некоторых случаях модуль добавляет атрибуты к элементу.В этих случаях после имени элемента следует
амперсанд ( и ).

Определение типа значений атрибутов

Когда модуль определяет тип значения атрибута, он
делает это, перечисляя тип в круглых скобках после
имя атрибута.

Определение допустимых значений атрибутов

Когда модуль определяет допустимые значения атрибута, он
делает это путем перечисления явных допустимых значений (заключенных в
кавычки), разделенные вертикальными чертами
( | ) в круглых скобках после
имя атрибута.

4.2. Содержание
Типы

Определения абстрактных модулей определяют минимальное атомарное содержимое
модели для каждого модуля. Эти модели с минимальным содержанием
ссылаться на элементы в самом модуле. Они также могут
ссылочные элементы в других модулях, на которых реферат
модуль зависит. Наконец, модель контента во многих случаях
требует, чтобы текст был разрешен в качестве содержимого для одного или нескольких
элементы. В этих случаях для текста используется символ PCDATA.Это термин, определенный в
Рекомендация XML 1.0, относящаяся к обработанному символу
данные. Тип содержимого также можно определить как EMPTY, что означает, что элемент не имеет содержимого в
его модель с минимальным содержанием.

4.3.
Типы атрибутов

В некоторых случаях необходимо определить типы
значения атрибутов или явный набор разрешенных значений для
атрибуты. Следующие типы атрибутов (определенные в XML
1.0 Рекомендация) используются в определениях
Абстрактные модули:

4.4. Пример аннотации
Определение модуля

В этом разделе в качестве примера определяется образец абстрактного модуля.
о том, как воспользоваться преимуществами правил синтаксиса, определенных выше.
Поскольку в этом примере мы пытаемся использовать все
синтаксические элементы определены, это довольно сложно. Типичный
определения модуля были бы намного проще, чем это. Наконец-то,
обратите внимание, что этот модуль ссылается на коллекцию атрибутов
Общий. Это коллекция, определенная в XHTML
Спецификация модуляризации, включающая все основные
атрибуты, которые нужны большинству элементов.

4.4.1. XHTML Лыжи
Модуль

Модуль XHTML Skiing определяет разметку, используемую при описании
аспекты лыжной базы. Определенные элементы и атрибуты
в этом модуле:

Этот модуль также определяет набор содержимого Aspen с
домик с минимальным содержанием | лифт |
шале | комната | лобби.

Определение для изучающих английский язык из Словаря учащихся Merriam-Webster

^модуль

/ ˈMɑːˌʤuːl /

Брит

/ ˈMɒdjuːl /

имя существительное

множественное число

модули

/ ˈMɑːˌʤuːl /

Брит

/ ˈMɒdjuːl /

существительное

множественное число

модули

Определение МОДУЛЯ учащимся

[считать]

1

:

одна из частей, которые могут быть соединены или объединены для создания или завершения чего-либо

• заводов по производству двигателей, трансмиссий, тормозов и прочего модулей для автомобилей

• ( в основном Brit ) Это модульный курс, состоящий из трех компонентов, и студенты могут проходить эти три модуля в любом порядке.

2

:

часть компьютера или компьютерной программы, которая выполняет определенную работу

3

:

часть космического корабля, которая может работать самостоятельно

Что такое модуль? — Бакалавр медицинских наук

Модуль — это группа курсов (обычно уровня 2000 и выше), которые обеспечивают определенный уровень понимания предметной области.Western предлагает 4 типа модулей в рамках обычных программ бакалавриата (например, степени бакалавра, бакалавра, бакалавра наук и т. Д.).

Диплом в Western состоит из (i) курсов первого года обучения 5.0, (ii) модуля или комбинации модулей и (iii) вариантов. Таблица структуры степеней показывает, какие модули могут быть объединены в 3 различных типа степеней, предлагаемых Western.

Общая информация о 4 типах модулей:

Специальность с отличием

• 9,0 и более старших курсов
• можно получить только с отличием
• предметная область модуля «Специализация с отличием» будет определять тип степени с отличием (e.грамм. Бакалавриат, бакалавриат или степень бакалавра и т. Д.)
• обеспечивает глубокое знание изучаемой предметной области (почти всегда требуется несколько курсов на уровне 4000)
• часто содержит «заключительный курс» в 4 классе, например исследовательский проект (дипломная работа) или продвинутый лабораторный курс
• Требования к поступающим обычно должны быть выполнены с минимальным средним минимум 70%
• может иметь максимальную вместимость, и в этом случае для приема может потребоваться более высокий средний показатель
• также может быть завершен дополнительный основной или второстепенный модуль (см. Таблицу структуры степеней)

Специализация:

• 9.0 и более старших курсов
• можно получить только за 4 года обучения (без отличия)
• предметная область модуля Специализация будет определять тип 4-летней степени (например, степень бакалавра наук, бакалавра или бакалавра и т. Д.)
• дает относительно глубокие знания изучаемой предметной области (обычно требуются некоторые курсы уровня 4000)
• обычно содержит , а не , содержащий «замкнутый курс» в 4 классе, например исследовательский проект (дипломная работа) или продвинутый лабораторный курс
• Требования к поступающим обычно должны быть выполнены с минимальным средним минимум 60%
• обычно не имеет максимальной вместимости
• также может быть завершен дополнительный основной или второстепенный модуль (см. Таблицу структуры степеней)

Майор

• 6.0 курсов (обычно)
• можно получить за 3 года, 4 года и с отличием (см. Диаграмму структуры дипломов)
• один основной модуль может быть завершен за 3 года или за 4 года (без отличия)
• Две специальности (двойные специальности) могут привести к получению диплома с отличием, если средний балл не менее 70% достигнут на модульных курсах для каждой специальности (с оценкой не менее 60% на любом индивидуальном модульном курсе)
• Майор может быть получен в дополнение к модулю специализации с отличием в степени с отличием (или в дополнение к модулю специализации в 4-летней степени)
• Требования к поступающим обычно должны быть выполнены с минимальным средним минимум 60%
• дает базовые знания изучаемой предметной области
• обычно не имеет максимальной вместимости
• предметная область некоторых специальностей будет определять тип степени (например,грамм. BMSc, BSc или BHSc и т. Д.)

Незначительное

• 4.0 курсы (обычно)
• один дополнительный модуль не приведет к выпуску с любой степенью
• может быть завершен с другим несовершеннолетним в 3-летней степени
• может быть завершен в дополнение к модулю специализации Major, Specialization или Honors Specialization (см. Таблицу структуры степеней)
• обычно предоставляет ограниченное введение в предметную область

Модуль

— определение и значение

Почему вам следует использовать модули веб-сайта: определение и преимущества

Веб-службы развиваются, чтобы способствовать более быстрой разработке и более простому дизайну. На переднем крае — модульное развитие.

Ряд отраслей — от автомобилестроения до строительства — были на переднем крае внедрения модульной конструкции.Ваш бизнес должен быть следующим; возьмите его у разработчика, который использует модули для простого создания сотен страниц в год.

Что такое модули веб-сайта?

Модули

— это распространенные компоненты веб-сайтов, которые используются как строительные блоки для создания страниц. Каждый модуль представляет собой набор «общих» элементов — изображений, текста, кнопок и т. Д. Многие модули объединяются для создания страницы. Это разбивает сложные проблемы на более мелкие компоненты, которые легче понять, сообщить и построить.

Чтобы понять модули веб-сайта, подумайте о Lego.Дайте группе детей кучу строительных блоков Lego, и один построит небоскреб, а другой построит машину или робота. Основные строительные блоки остаются прежними, но меняется способ их сборки.

Например, вы, вероятно, видели много веб-сайтов, на которых есть герой, jumbotron или заставка. Независимо от того, что вы называете вводным разделом веб-страницы, макет почти такой же. Все они имеют заголовок, возможно, подзаголовок, CTA и большое фоновое изображение.

В этих трех примерах героев используется одна и та же структура HTML!

Несмотря на то, насколько разнообразным может быть CSS, HTML для всех этих элементов-героев одинаков.После того, как вы напишете HTML для одного раздела с героями, вы в значительной степени напишете HTML для каждого раздела с героями, который когда-либо создадите.

Это позволяет повторно использовать сегменты кода или «модули» из одного проекта в другой, экономя значительное количество времени, которое можно потратить на пользовательское кодирование CSS или другой проект.

Модульная разработка и функциональные прототипы

Наличие библиотеки общих модулей также помогает в создании функциональных прототипов веб-сайтов.

Вайрфреймы всегда хорошо иметь, чтобы макет веб-сайта можно было спланировать до того, как он будет завершен. Функциональные каркасы еще лучше, так как вы можете перемещаться по сайту и взаимодействовать с ним, как если бы он был живым.

Это экономит время за счет исключения шага из процесса разработки проекта. Вместо использования Illustrator (или другого инструмента создания каркасов) разработчик может создавать простые веб-страницы, используя библиотеку модулей.

Это подход «две птицы, один камень», потому что ваши каркасы также служат отправной точкой для кода проекта.

Преимущества модульной разработки

Модульная разработка имеет множество преимуществ. Модули есть:

• Гибкость — Создатели контента могут при необходимости комбинировать элементы дизайна.
• Адаптируемый — Дизайн страницы можно легко изменить в соответствии с потребностями веб-сайта.
• Testable — Быстро меняя модули, маркетологи могут проводить A / B-тестирование и использовать аналитику, чтобы увидеть, что работает.
• Простота обслуживания — Использование готовых модулей позволяет легко поддерживать единообразный внешний вид всего веб-сайта, даже если конечный пользователь является новичком.
• Time Efficient — Самая большая причина, по которой мне нравится модульная разработка, заключается в том, что она экономит время.
  

  Добавить комментарий Отменить ответ

  Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

  Комментарий *

  Имя *

  Email *

  Сайт